講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-12-21 16:30
高抵抗化による高効率THz波発生を目指した不純物添加GaSe結晶の液相成長 ○鈴木康平・佐藤陽平・前田健作・小山 裕(東北大) ED2015-98 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-98 |
抄録 |
(和) |
我々は蒸気圧制御温度差液相成長法により差周波混合THz波発生に向けた層状半導体GaSe結晶の成長を行っている。GaSeは、広い透過波長領域(λ = 0.6-20 μm)と大きな非線形光学定数(d22 = 54 pm/V @10.6 μm)により、高効率、広帯域なTHz波発生が期待できる。また、大きな複屈折性(no=2.9082, ne=2.5676 @1.06 μm)により同軸位相整合による発生が可能であり光学系の簡略化が期待できる。今回、THz波低周波数域の自由キャリア吸収の抑制を目的として、遷移金属または両性不純物元素を添加した結晶を成長した。添加する元素には、遷移金属元素としてFe・Ni・Cu、両性不純物元素としてSi・Ge・Sbを選択した。成長した結晶は、ホール係数測定について故意には不純物を添加していない液相成長の結晶と比較を行った。 |
(英) |
We grow layered semiconductor GaSe crystals by liquid phase epitaxy TDM-CVP for the difference frequency generation of THz wave. GaSe crystals have the wide transparency (λ = 0.6~20 μm), the large nonlinear optical coefficient (d22 = 54 pm/V @10.6 μm), and the high birefringence (no=2.9082, ne=2.5676 @1.06μm). For these superior properties, these crystals can generate high efficiency THz wave via difference frequency generation under collinear phase matching. In this study, Transition metal-doped or amphoteric impurity-doped GaSe crystals for the purpose of preventing free carrier absorption were grown by the same growth method. These crystals were evaluated by in comparison with the not-intentionally-doped GaSe crystals. |
キーワード |
(和) |
GaSe / 不純物添加 / 非線形光学効果 / / / / / |
(英) |
GaSe / Impurity doping / Nonlinear optical effect / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 387, ED2015-98, pp. 41-46, 2015年12月. |
資料番号 |
ED2015-98 |
発行日 |
2015-12-14 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2015-98 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-98 |
研究会情報 |
研究会 |
ED |
開催期間 |
2015-12-21 - 2015-12-22 |
開催地(和) |
東北大通研ナノ・スピン棟 |
開催地(英) |
RIEC, Tohoku Univ |
テーマ(和) |
ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
テーマ(英) |
Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2015-12-ED |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
高抵抗化による高効率THz波発生を目指した不純物添加GaSe結晶の液相成長 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Liquid phase growth of impurity-doped GaSe crystals for the high efficiency THz wave generation by high resistivity |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
GaSe / GaSe |
キーワード(2)(和/英) |
不純物添加 / Impurity doping |
キーワード(3)(和/英) |
非線形光学効果 / Nonlinear optical effect |
キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
鈴木 康平 / Kouhei Suzuki / スズキ コウヘイ |
第1著者 所属(和/英) |
東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
佐藤 陽平 / Yohei Sato / サトウ ヨウヘイ |
第2著者 所属(和/英) |
東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
前田 健作 / Kensaku Maeda / マエダ ケンサク |
第3著者 所属(和/英) |
東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
小山 裕 / Yutaka Oyama / オヤマ ユタカ |
第4著者 所属(和/英) |
東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2015-12-21 16:30:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2015-98 |
巻番号(vol) |
vol.115 |
号番号(no) |
no.387 |
ページ範囲 |
pp.41-46 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2015-12-14 (ED) |