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講演抄録/キーワード
講演名 2015-12-21 14:10
GaAsSbバックワードダイオードの非平衡量子輸送モデルによる理論解析
藤田尚成小野孝介須原理彦首都大東京)・高橋 剛富士通研エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-93
抄録 (和) GaAsSb系バックワードダイオードの直流I-V特性とSパラメータの周波数特性を表現する理論モデルの構築を行った。トンネル現象の非平衡量子輸送モデルより導出されるダイオードの等価回路モデルの各素子値はアノード及びカソードにおけるエネルギー緩和,障壁層におけるトンネル,空乏層における走行の輸送時間パラメータで記述しており,このモデルが実測データを説明できることを示した。実測データの解析から,試作したデバイスでは2種類のトンネル輸送機構が寄与していることを示唆した。 
(英) We construct a theoretical model to explain DC I-V characteristics and frequency-dependent S-parameters of GaAsSb-based backward diodes. Each element of the equivalent circuit model of backward diodes are derived by a non-equilibrium quantum transport model and these are described by using energy relaxation time in the anode and cathode, tunneling time in the barrier layer, depletion layer transit time. Measured data are expressed by the model, considering two kinds of tunneling transport mechanism.
キーワード (和) バックワードダイオード / 非平衡量子輸送モデル / 緩和時間 / / / / /  
(英) Backward Diodes / a non-equilibrium quantum transport model / relaxation time / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 387, ED2015-93, pp. 13-18, 2015年12月.
資料番号 ED2015-93 
発行日 2015-12-14 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2015-12-21 - 2015-12-22 
開催地(和) 東北大通研ナノ・スピン棟 
開催地(英) RIEC, Tohoku Univ 
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 
テーマ(英) Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2015-12-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) GaAsSbバックワードダイオードの非平衡量子輸送モデルによる理論解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Theoretical Analysis of GaAsSb-based Backward Diodes on the basis of a non-equilibrium quantum transport model 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) バックワードダイオード / Backward Diodes  
キーワード(2)(和/英) 非平衡量子輸送モデル / a non-equilibrium quantum transport model  
キーワード(3)(和/英) 緩和時間 / relaxation time  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤田 尚成 / Hisanari Fujita / フジタ ヒサナリ
第1著者 所属(和/英) 首都大学東京 (略称: 首都大東京)
Tokyo Metropolitan University (略称: TMU)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 小野 孝介 / Kosuke ono / オノ コウスケ
第2著者 所属(和/英) 首都大学東京 (略称: 首都大東京)
Tokyo Metropolitan University (略称: TMU)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 須原 理彦 / Michihiko Suhara / スハラ ミチヒコ
第3著者 所属(和/英) 首都大学東京 (略称: 首都大東京)
Tokyo Metropolitan University (略称: TMU)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi / タカハシ ツヨシ
第4著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
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講演者
発表日時 2015-12-21 14:10:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2015-93 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.387 
ページ範囲 pp.13-18 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ED-2015-12-14 


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