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講演抄録/キーワード
講演名 2015-12-21 14:35
InP HEMTと集積化した300GHz受信用GaAsSbバックワードダイオードの検波特性
高橋 剛佐藤 優芝 祥一牧山剛三中舍安宏原 直紀富士通研エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-94
抄録 (和) テラヘルツ波の高感度検出のために、InP HEMT低雑音増幅器とGaAaSb系バックワード高感度検波器を集積化したMMICを検討した。InP HEMTとの整合をとるためバックワードダイオードに整合回路を設けたところ、300GHzにおいて1,390V/Wの感度を達成した。InP HEMT増幅器と組み合わせるとで、超高感度のテラヘルツ波受信器を作製できる可能性を得た。 
(英) We have developed receiver MMIC structure that was integrated with GaAsSb-based backward diodes and InP-based HEMTs to detect THz wave with high sensitivity. Sensitivity of 1,390 V/W was achieved at 300 GHz by adopting a matching network at the backward diodes to make an impedance matching with InP-based HEMTs. Highly sensitive THz receivers should be realized by integrating the backward diodes with InP-based HEMTs.
キーワード (和) トンネルダイオード / バックワード / テラヘルツ / HEMT / GaAsSb / 検波 / 感度 / InP  
(英) tunnel diode / backward / THz / HEMT / GaAsSb / detection / sensitivity / InP  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 387, ED2015-94, pp. 19-23, 2015年12月.
資料番号 ED2015-94 
発行日 2015-12-14 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2015-12-21 - 2015-12-22 
開催地(和) 東北大通研ナノ・スピン棟 
開催地(英) RIEC, Tohoku Univ 
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 
テーマ(英) Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2015-12-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) InP HEMTと集積化した300GHz受信用GaAsSbバックワードダイオードの検波特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Detector Characteristics of GaAsSb-based Backward Diode Monolithically Integrated with InP-based HEMTs for 300 GHz Receiver Applications 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) トンネルダイオード / tunnel diode  
キーワード(2)(和/英) バックワード / backward  
キーワード(3)(和/英) テラヘルツ / THz  
キーワード(4)(和/英) HEMT / HEMT  
キーワード(5)(和/英) GaAsSb / GaAsSb  
キーワード(6)(和/英) 検波 / detection  
キーワード(7)(和/英) 感度 / sensitivity  
キーワード(8)(和/英) InP / InP  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi / タカハシ ツヨシ
第1著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 優 / Masaru Sato / サトウ マサル
第2著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 芝 祥一 / Shoichi Shiba / シバ ショウイチ
第3著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧山 剛三 / Kozo Makiyama / マキヤマ コウゾウ
第4著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasha / ナカシャ ヤスヒロ
第5著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 原 直紀 / Naoki Hara / ハラ ナオキ
第6著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
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講演者
発表日時 2015-12-21 14:35:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2015-94 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.387 
ページ範囲 pp.19-23 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2015-12-14 


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