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| 講演名 | 2015-12-17 10:00 ブートストラップ型ドライバ回路を用いたGaN VMCD高出力増幅器 ○中溝英之・向井謙治・新庄真太郎（三菱電機）・Peter Asbeck（カリフォルニア大サンディエゴ校）  MW2015-133 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2015-133 |
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| 抄録 | （和） | 本報告では465MHz帯で動作する高出力高効率なGaN VMCD (Voltage Mode Class D) 増幅器を提案する．提案のVMCD増幅器を構成するスイッチング増幅器は，二つのｎチャネルFETで構成するスイッチング回路と，それぞれのFETを駆動するドライバ回路で構成し，ドライバ回路にはブートストラップ型ドライバ回路を適用した．ブートストラップ型ドライバ回路は，低電源電圧でも高電圧振幅を出力可能であることから，ドライバ回路の消費電力を従来のVMCD増幅器より低減でき，VMCD増幅器全体の効率を向上できる．提案するVMCD増幅器のGaN-MMICを試作し，周波数465MHzのCW信号を用いて評価した結果，ドライバ回路を含めた全体効率(PAE : Power Added Efficiency) 66.6 %，出力電力3.3Wを達成した．またバックオフ6dB の点で，PAE 36.3%を達成した． |
| （英） | We report a GaN Voltage-Mode Class D power amplifier designed for use at 465 MHz of LTE Band 31. The amplifier is fabricated as an integrated circuit including switching circuit that employs two stacked GaN FETs, and drivers for each GaN FET. A bootstrap-drive configuration is used in order to increase the driver-stage efficiency for the uppermost GaN FET. The GaN VMCD amplifier achieves peak power-added efficiency of 66.6%, and an output power of 3.3W. At 6dB power back-off, power-added efficiency of 36.3% is achieved. | |
| キーワード | （和） | GaN / 高出力増幅器 / VMCD / スイッチング増幅器 / ブートストラップ / / / |
| （英） | GaN / power amplifiers / VMCD / switching-mode amplifiers / bootstrap / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 372, MW2015-133, pp. 1-5, 2015年12月. | |
| 資料番号 | MW2015-133 | |
| 発行日 | 2015-12-10 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2015-133 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2015-133 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2015-12-17 - 2015-12-18 |
| 開催地（和） | 東京理科大 葛飾キャンパス |
| 開催地（英） | Tokyo Univ. of Science |
| テーマ（和） | 学生研究会／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Students Session / Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2015-12-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ブートストラップ型ドライバ回路を用いたGaN VMCD高出力増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaN Voltage-Mode Class D Power Amplifier Using Bootstrap Driver |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 高出力増幅器 / power amplifiers |
| キーワード(3)（和/英） | VMCD / VMCD |
| キーワード(4)（和/英） | スイッチング増幅器 / switching-mode amplifiers |
| キーワード(5)（和/英） | ブートストラップ / bootstrap |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中溝 英之 / Hideyuki Nakamizo / ナカミゾ ヒデユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corporation) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 向井 謙治 / Kenji Mukai / ムカイ ケンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corporation) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新庄 真太郎 / Shintaro Shinjo / シンジョウ シンタロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corporation) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Peter Asbeck / Peter Asbeck / Peter Asbeck |
| 第4著者 所属（和/英） | University of California, San Diego (略称： カリフォルニア大サンディエゴ校) University of California, San Diego (略称： UCSD) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-12-17 10:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2015-133 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.372 |
| ページ範囲 | pp.1-5 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-12-10 (MW) |
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