講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-12-14 14:00
ミストCVD法によるGaxSn1-xO薄膜の特性評価 ○弓削政博・小川淳史・吉岡敏博・加藤雄太・松田時宜・木村 睦(龍谷大) EID2015-16 SDM2015-99 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2015-16 SDM2015-99 |
抄録 |
(和) |
薄膜トランジスタ動作する事が確認されたGaxSn1-xO(GTO)薄膜を、非真空プロセスであるミストCVD法によって、 異なる基板温度でそれぞれ成膜時間を変えてガラス基板上に成膜した。そのGTO薄膜の光学的特性、電気的特性の評価を行った。GTO薄膜の光学的特性は可視光領域において透過率80%以上となったが成膜時間による依存性は見られなかった.GTO薄膜のシート抵抗である電気的特性は,450,500℃ともに成膜時間が長くなるにつれてシート抵抗は低下した. |
(英) |
Thin films of GaxSn1-xO (GTO) for an active layer of thin film transistor (TFT) were deposited with different substrate temperature and deposition time on glass substrates by the mist CVD method with non-vacuum process. Optical transmittances of GTO thin film were higher than 80% for all deposition time. Sheet resistances of GTO thin films were decreased deposited at 450℃, and 500℃ with longer deposition time. Relationships between the sheet resistance and deposition time were not inverse proportion. |
キーワード |
(和) |
酸化物半導体 / GaSnO薄膜 / ミストCVD / / / / / |
(英) |
Oxide semiconductor / GaSnO thin film / mist CVD / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 362, EID2015-16, pp. 31-34, 2015年12月. |
資料番号 |
EID2015-16 |
発行日 |
2015-12-07 (EID, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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