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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-11-27 14:35 表面保護膜形成によるInGaN系太陽電池の特性改善 ○加畑智基・堤 達哉・三好実人・江川孝志（名工大）  ED2015-87 CPM2015-122 LQE2015-119 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2015-87 CPM2015-122 LQE2015-119 |
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| 抄録 | （和） | InGaN混晶半導体は、そのバンドギャップ制御により太陽光スペクトルの広範囲をカバーできることから、新たな太陽電池用材料として期待されている。本研究では、InGaN系太陽電池の表面保護膜形成によるエネルギー変換効率向上の可能性を探るべく実験を行った。表面保護膜としては、スパッタ法によるSiO2膜、原子層堆積(Atomic Layer Deposition:ALD)法によるAl2 O3膜を用い、比較として絶縁膜の代わりに極薄の透明金属膜を形成したサンプルを用意した。実験の結果、ALD-Al2 O3保護膜を形成したサンプルは、他のサンプルよりも高い外部量子効率と2倍以上のエネルギー変換効率（約0.5%から約1.3%）を示した。電流-電圧測定の結果からは、ALD-Al2 O3保護膜がシャント抵抗成分の低減を防止するのに有効であることを示唆された。また、反射率測定および時間分解フォトルミネッセンス測定の結果からは、ALD-Al2 O3保護膜が表面での光反射抑制とキャリア再結合を抑制していることが示された。 |
| （英） | InGaN alloys are now viewed as promising material for solar cell applications due to their direct and variable band gaps ranging from 0.64 eV for InN to 3.4 eV for GaN, which allow them to cover a large part of solar spectrum. In this study, we attempted to apply the surface passivation technique to InGaN-based solar cells for improving their conversion efficiency. Samples with the surface patterns of a sputtered SiO2 film or an atomic-layer-deposited (ALD) Al2O3 film were examined in addition to a sample with a transparent NiAu surface pattern. As a result, the sample with an ALD-Al2O3 film showed a high external quantum efficiency and a twofold higher energy conversion efficiency (from 0.5% to 1.3%) than those of the other samples. Current-voltage characteristics indicated that the ALD-Al2O3 film suppressed the reduction of shunt resistance in solar cell devices. Also, the measurement results of spectral reflectivity and time-resolved photoluminescence indicated that the ALD-Al2O3 film suppressed the surface reflection and the surface carrier recombination. | |
| キーワード | （和） | InGaN/GaN / 窒化物 / 太陽電池 / パッシベーション / / / / |
| （英） | InGaN / Solar cell / MQW / Al2 O3 / Passivation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 329, ED2015-87, pp. 95-99, 2015年11月. | |
| 資料番号 | ED2015-87 | |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-87 CPM2015-122 LQE2015-119 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2015-87 CPM2015-122 LQE2015-119 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2015-11-26 - 2015-11-27 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
| 開催地（英） | Osaka City University Media Center |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2015-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 表面保護膜形成によるInGaN系太陽電池の特性改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improved Properties in InGaN-based Solar Cells by surface passivation process. |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN/GaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化物 / Solar cell |
| キーワード(3)（和/英） | 太陽電池 / MQW |
| キーワード(4)（和/英） | パッシベーション / Al2 O3 |
| キーワード(5)（和/英） | / Passivation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加畑 智基 / Kabata / カバタ トモキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst of Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堤 達哉 / Tsutsumi Tatsuya / ツツミ タツヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst of Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三好 実人 / Miyoshi Makoto / ミヨシ マコト |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst of Tech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Egawa Takashi / エガワ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst of Tech) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-11-27 14:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2015-87, CPM2015-122, LQE2015-119 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) |
| ページ範囲 | pp.95-99 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |
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