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講演抄録/キーワード
講演名 2015-11-26 11:20
AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長
安井大貴三宅秀人平松和政三重大)・岩谷素顕赤崎 勇名城大)・天野 浩名大ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102
抄録 (和) AlN(窒化アルミニウム)はワイドバンドギャップ半導体であり,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外域の発光・受光デバイスの基板として注目されている.高性能なデバイス作製のためにはAlNの高品質化が必要であり,近年では結晶成長技術に伴い高品質なAlN基板が昇華法等で作製されているが,高価で基板サイズに課題である.一方,SapphireはAlN成長用の基板として用いた場合には,高密度の貫通転位が形成される課題があるが,比較的大口径の基板が作製可能且つ,安価であることから実用化に適している.本研究では,装置コストが安価で大口径なテンプレート作製が可能であるスパッタ法に着目し,Sapphire上にAlNをスパッタ法で堆積し,これを基板に用いてHVPE法によりAlNの厚膜成長やアニールを行いAlNの高品質化を目指した. 
(英) AlN (Aluminum nitride) is promising for deep ultraviolet optoelectronic devices. High crystal quality free-standing AlN substrates are obtained in recent year by PVT (physical vapor transport). Nevertheless, it is difficult to fabricate low cost of AlN substrates with large diameter by PVT. Large diameter with reasonable price for commercial of AlN templates can achieve by using sapphire substrates. However, high density of threading dislocations exists in AlN templates and will lower the performance of devices. In this research, we focus on sputtering growth method, which can easily fabricate AlN films on sapphire substrate as templates, and high crystal quality of AlN films are obtained to grow AlN on sputtering AlN templates by HVPE (hydride vapor phase epitaxy).
キーワード (和) HVPE / AlN / AlN/Sapphire / スパッタ / / / /  
(英) HVPE / AlN / AlN/Sapphire / Sputtering / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 331, LQE2015-102, pp. 11-14, 2015年11月.
資料番号 LQE2015-102 
発行日 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102

研究会情報
研究会 ED LQE CPM  
開催期間 2015-11-26 - 2015-11-27 
開催地(和) 大阪市立大学・学術情報センター会議室 
開催地(英) Osaka City University Media Center 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 
テーマ(英) Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2015-11-ED-LQE-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) AlN growth on AlN/Sapphire substrate by RF-HVPE 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) HVPE / HVPE  
キーワード(2)(和/英) AlN / AlN  
キーワード(3)(和/英) AlN/Sapphire / AlN/Sapphire  
キーワード(4)(和/英) スパッタ / Sputtering  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 安井 大貴 / Daiki Yasui /
第1著者 所属(和/英) 三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 三宅 秀人 / Hideto Miyake /
第2著者 所属(和/英) 三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu /
第3著者 所属(和/英) 三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya /
第4著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤崎 勇 / Isamu Akasaki /
第5著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 天野 浩 / Hiroshi Amano /
第6著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2015-11-26 11:20:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2015-70, CPM2015-105, LQE2015-102 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) 
ページ範囲 pp.11-14 
ページ数
発行日 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) 


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