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講演抄録/キーワード
講演名 2015-11-26 10:30
RF窒素プラズマを用いた表面窒化によるα-(AlGa)2O3上AlGaN形成に関する検討
荒木 努武馬 輝増田 直名西やす之立命館大)・織田真也人羅俊実FLOSFIAED2015-68 CPM2015-103 LQE2015-100 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-68 CPM2015-103 LQE2015-100
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文献情報 信学技報, vol. 115, no. 331, LQE2015-100, pp. 1-4, 2015年11月.
資料番号 LQE2015-100 
発行日 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ED LQE CPM  
開催期間 2015-11-26 - 2015-11-27 
開催地(和) 大阪市立大学・学術情報センター会議室 
開催地(英) Osaka City University Media Center 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 
テーマ(英) Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2015-11-ED-LQE-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) RF窒素プラズマを用いた表面窒化によるα-(AlGa)2O3上AlGaN形成に関する検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Study on AlGaN formation on alpha-(AlGa)2O3 by surface nitridation using radio frequency nitrogen plasma 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒木 努 / Tsutomu Araki / アラキ ツトム
第1著者 所属(和/英) 立命館大学 (略称: 立命館大)
Ritsumeikan University (略称: Ritsumeikan Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 武馬 輝 / Akira Buma / ブマ アキラ
第2著者 所属(和/英) 立命館大学 (略称: 立命館大)
Ritsumeikan University (略称: Ritsumeikan Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 増田 直 / Nao Masuda / マスダ ナオ
第3著者 所属(和/英) 立命館大学 (略称: 立命館大)
Ritsumeikan University (略称: Ritsumeikan Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 名西 やす之 / Yasushi Nanishi / ナニシ ヤスシ
第4著者 所属(和/英) 立命館大学 (略称: 立命館大)
Ritsumeikan University (略称: Ritsumeikan Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 織田 真也 / Masaya Oda / オダ マサヤ
第5著者 所属(和/英) 株式会社FLOSFIA (略称: FLOSFIA)
FLOSFIA INC. (略称: FLOSFIA)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 人羅 俊実 / Toshimi Hitora / ヒトラ トシミ
第6著者 所属(和/英) 株式会社FLOSFIA (略称: FLOSFIA)
FLOSFIA INC. (略称: FLOSFIA)
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講演者 第1著者 
発表日時 2015-11-26 10:30:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2015-68, CPM2015-103, LQE2015-100 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) 
ページ範囲 pp.1-4 
ページ数
発行日 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) 


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