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講演抄録/キーワード
講演名 2015-11-07 12:10
触媒反応生成高エネルギーH2Oビームを用いて堆積したZnO薄膜へのNOガス添加効果
石塚侑己田島諒一大橋優樹玉山泰宏安井寛治長岡技科大CPM2015-101 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2015-101
抄録 (和) 本研究室ではこれまで触媒反応により生成した高エネルギーH2Oビームを用いたCVD法によりa面サファイア基板上に高品質なZnO結晶膜の作製に成功している.本研究ではp型ZnO膜の成長を目指して,膜堆積において一酸化窒素(NO)を供給することでZnO膜への窒素(N)ドーピングを試み,得られた膜の評価を行った.その結果,p型膜は得られなかったもののHall効果測定において残留キャリア密度の減少を確認した.また低温フォトルミネッセンス測定において,いずれの試料からもn=1およびn=2の自由励起子に由来する発光と中性ドナー束縛励起子(D0X)の高エネルギー側にイオン化ドナー束縛励起子(D+X)に由来すると考えられる強い発光が観察されたことから優れた結晶性を有していると推察された.さらに弱いながらも中性アクセプタ束縛励起子(A0X)に由来する発光も観測され,アクセプタのドーピングも生じていることが確認された. 
(英) We have developed a new CVD method for ZnO film growth using a reaction between an alkylzinc (DMZn) and high- temperature H2O generated by a catalytic reaction on Pt-nanoparticles. The resulting ZnO films grown on a-plane (11-20) sapphire (a-Al2O3) substrates exhibited excellent optical and electronic properties. In this study, we have investigated the influence of the NO gas addition during the film growth on the properties of the ZnO films. By the addition of the NO gas, the full-width at half maximum of ω-rocking curve of ZnO(0002) of the films became large compared with those of undoped ZnO films. Although the residual carrier concentration decreased by the addition of the NO gas, p-type ZnO films were not obtained. In the PL spectra of the NO doped ZnO films measured at a low temperature, emission peaks derived from ionized donor bound exciton (D+X) and neutral accepter bound exciton (A0X) in addition to those derived from free exciton (FXA) and neutral donor bound exciton (D0X) were observed.
キーワード (和) ZnO / 触媒反応 / 高エネルギーH2O / NOガス / PLスペクトル / / /  
(英) ZnO / catalytic reaction / high-energy H2O / NO gas / PL spectra / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 297, CPM2015-101, pp. 81-84, 2015年11月.
資料番号 CPM2015-101 
発行日 2015-10-30 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2015-101 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2015-101

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2015-11-06 - 2015-11-07 
開催地(和) まちなかキャンパス長岡 
開催地(英) Machinaka Campus Nagaoka 
テーマ(和) 薄膜プロセス・材料,一般 
テーマ(英) Thin film processing, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2015-11-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 触媒反応生成高エネルギーH2Oビームを用いて堆積したZnO薄膜へのNOガス添加効果 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effect of NO addition on the properties of ZnO films grown using high-temperature H2O generated by a catalytic reaction on Pt nanoparticles 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ZnO / ZnO  
キーワード(2)(和/英) 触媒反応 / catalytic reaction  
キーワード(3)(和/英) 高エネルギーH2O / high-energy H2O  
キーワード(4)(和/英) NOガス / NO gas  
キーワード(5)(和/英) PLスペクトル / PL spectra  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 石塚 侑己 / Yuki Ishizuka / イシヅカ ユウキ
第1著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: NUT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 田島 諒一 / Ryoichi Tajima / タジマ リョウイチ
第2著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: NUT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大橋 優樹 / Yuki Ohashi / オオハシ ユウキ
第3著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: NUT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 玉山 泰宏 / Yasuhiro Tamayama / タマヤマ ヤスヒロ
第4著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: NUT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 安井 寛治 / Kanzi Yasui / ヤスイ カンジ
第5著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: NUT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2015-11-07 12:10:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2015-101 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.297 
ページ範囲 pp.81-84 
ページ数
発行日 2015-10-30 (CPM) 


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