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講演抄録/キーワード
講演名 2015-11-06 15:50
表面処理条件の異なるYAlO3(001)基板上に成膜したCr2O3薄膜の結晶構造解析および磁気特性
橋本浩佑隅田貴士福井慎二郎永田知子山本 寛・○岩田展幸日大CPM2015-90 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2015-90
抄録 (和) YAlO3(001)基板を5M及び12MのNaOH水溶液でエッチングし、Cr2O3薄膜の表面状態および結晶構造を評価した。5MのNaOHでエッチングしたYAO基板は、隣り合うステップで摩擦力が異なりステップ高さもハーフユニット分であった。12MでエッチングしたYAO基板はステップの高さが1ユニットであるものの、テラス終端は波状でありステップ間の深い溝やテラス表面の粒子が確認した。それぞれの基板上にCr2O3を成膜した。5Mで処理を行った基板では単一グレインに着目するとnmオーダで平坦な薄膜が成長していたのに対し、12Mで処理を行ったものでは4.3nm程度の高低差を持つ表面となった。逆格子マップより、YAO[010]oにCr2O3 [-111]h及びCr2O3 [1-1-1]h方向の2種類の傾きをもって成長していることがわかった。 
(英) The Cr2O3 thin films are fabricated on YAlO3(YAO)(001) substrates etched with 5M and or 12M NaOH solutions. After the etching with 5M NaOH, the surface showed clear step-terrace structure though the step height was half-unit and the terraces showed different friction force alternately. After the etching with 12M NaOH, the step height was one-unit though the wavy terrace-edge, trenches and small particles are observed along the steps. These results suggest the imperfect etching with 5M NaOH and excessive etching with 12M NaOH. Each Cr2O3 grain showed atomically flat surface on YAO etched with 5M NaOH, while rough surface with ~4.3 nm difference in height was obtained on YAO etched with 12M NaOH. There are two crystal domain in the Cr2O3 film. The [-111]h direction of Cr2O3 r-plane is parallel to the [010]o onYAO.
キーワード (和) Cr2O3 / 薄膜 / YAlO3 / / / / /  
(英) Cr2O3 / films / YAlO3 / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 297, CPM2015-90, pp. 31-35, 2015年11月.
資料番号 CPM2015-90 
発行日 2015-10-30 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2015-90 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2015-90

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2015-11-06 - 2015-11-07 
開催地(和) まちなかキャンパス長岡 
開催地(英) Machinaka Campus Nagaoka 
テーマ(和) 薄膜プロセス・材料,一般 
テーマ(英) Thin film processing, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2015-11-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 表面処理条件の異なるYAlO3(001)基板上に成膜したCr2O3薄膜の結晶構造解析および磁気特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Structure Analyses and Magnetic Properties of Cr2O3 Thin films grown on Surface Treated YAlO3(001) Substrates with Different Conditions 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Cr2O3 / Cr2O3  
キーワード(2)(和/英) 薄膜 / films  
キーワード(3)(和/英) YAlO3 / YAlO3  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 橋本 浩佑 / Kosuke Hashimoto / ハシモト コウスケ
第1著者 所属(和/英) 日本大学 (略称: 日大)
Nihon University (略称: Nihon Univ)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 隅田 貴士 / Takashi Sumida / スミダ タカシ
第2著者 所属(和/英) 日本大学 (略称: 日大)
Nihon University (略称: Nihon Univ)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 福井 慎二郎 / Shinjirou Fukui / フクイ シンジロウ
第3著者 所属(和/英) 日本大学 (略称: 日大)
Nihon University (略称: Nihon Univ)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 永田 知子 / Tomoko Nagata / ナガタ トモコ
第4著者 所属(和/英) 日本大学 (略称: 日大)
Nihon University (略称: Nihon Univ)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 寛 / Hiroshi Yamamoto / ヤマモト ヒロシ
第5著者 所属(和/英) 日本大学 (略称: 日大)
Nihon University (略称: Nihon Univ)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩田 展幸 / Nobuyuki Iwata / イワタ ノブユキ
第6著者 所属(和/英) 日本大学 (略称: 日大)
Nihon University (略称: Nihon Univ)
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講演者
発表日時 2015-11-06 15:50:00 
発表時間 20 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-CPM2015-90 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.297 
ページ範囲 pp.31-35 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-CPM-2015-10-30 


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