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講演抄録/キーワード
講演名 2015-10-30 14:30
窒素添加LaB6ターゲットによる低仕事関数LaB6スパッタ薄膜の形成
石井秀和東北大)・高橋健太郎住友大阪セメント)・後藤哲也須川成利大見忠弘東北大SDM2015-81 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-81
抄録 (和) LaB6薄膜をマグネトロンスパッタ法で形成し,その仕事関数を評価した.LaB6薄膜の仕事関数は,LaB6ターゲット中の窒素濃度と酸素濃度に大きく依存することが明らかになった.ターゲット中の酸素濃度が1%未満で,かつ窒素濃度が約0.4%の時に,LaB6薄膜の仕事関数が2.4eVという非常に低い仕事関数が得られることが分かった.この条件で成膜したLaB6薄膜は,Hall測定において,最も高い電子移動度(1.5cm2/Vs)と最も高いキャリア濃度(3.3×1022cm-3)を有することが分かった.この結果は,低仕事関数が得られる条件においてLaB6薄膜の原子の秩序性が向上していることを示唆している. 
(英) LaB6 thin films were deposited by magnetron sputtering, and their work function was investigated. It was found that the work function depends greatly on the nitrogen and the oxygen concentrations in the LaB6 sputtering target. Low work function of 2.4 eV was obtained when the nitrogen concentration was approximately 0.4% and the oxygen concentration was controlled below 1%. In this condition, the Hall measurement results revealed that the sputtered LaB6 film exhibited both the highest electron mobility (1.5 cm2/Vs) and the highest electron density (3.3×1022 cm-3). This suggested that orderliness between atoms was improved at this condition, resulting in the realization of low work function.
キーワード (和) LaB6 / スパッタ成膜 / 仕事関数 / 六ホウ化ランタン / / / /  
(英) LaB6 / Sputtering deposition / Work Function / Lanthanum Hexaboride / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 280, SDM2015-81, pp. 53-56, 2015年10月.
資料番号 SDM2015-81 
発行日 2015-10-22 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード SDM2015-81 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-81

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2015-10-29 - 2015-10-30 
開催地(和) 東北大学未来研 
開催地(英) Niche, Tohoku Univ. 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process Science and New Process Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2015-10-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 窒素添加LaB6ターゲットによる低仕事関数LaB6スパッタ薄膜の形成 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Low Work Function LaB6 Thin Films Prepared by Nitrogen Doped LaB6 Target Sputtering 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) LaB6 / LaB6  
キーワード(2)(和/英) スパッタ成膜 / Sputtering deposition  
キーワード(3)(和/英) 仕事関数 / Work Function  
キーワード(4)(和/英) 六ホウ化ランタン / Lanthanum Hexaboride  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 石井 秀和 / Hidekazu Ishii / イシイ ヒデカズ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 健太郎 / Takahashi Kentarou / タカハシ ケンタロ
第2著者 所属(和/英) 住友大阪セメント株式会社 (略称: 住友大阪セメント)
Sumitomo Osaka Cement Co., LTD (略称: Sumitomo Osaka Cement)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 後藤 哲也 / Tetsuya Goto / ゴトウ テツヤ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa / スガワ シゲトシ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi / オオミ タダヒロ
第5著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ)
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講演者
発表日時 2015-10-30 14:30:00 
発表時間 30 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2015-81 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.280 
ページ範囲 pp.53-56 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2015-10-22 


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