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講演抄録/キーワード
講演名 2015-10-23 15:50
混合溶媒による塗布型有機トランジスタの高移動度化および低閾値電圧化
中道諒介永瀬 隆小林隆史阪府大)・貞光雄一日本化薬)・内藤裕義阪府大OME2015-58 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2015-58
抄録 (和) 有機電界効果トランジスタ(OFET)の電気的特性(移動度、閾値電圧)の制御はOFETの実用化に向け重要である。OFETの特徴の一つに溶液プロセスによって半導体層を成膜できることがあり、成膜した半導体層の構造によって特性が大きく変化する。本研究では、半導体材料の溶媒にトルエンとp-キシレンの混合溶媒を用い、その混合比率を変化させることでOFETの特性を制御、向上させ、塗布型多結晶OFETとしては高い移動度(9.7 $rm{cm^2}$$rm{V^{-1}}$$rm{s^{-1}}$)と理想的な閾値電圧(-0.18 V)を有するデバイスを作製することに成功した。 
(英) It is important to develop methods of controlling electrical characteristics of organic field-effect transistor (OFET). An advantage of OFET is solution-processability of semiconductor films. Characteristics of OFETs fabricated by using the solution-process are affected by the structures of coated films. In this work, mixed solvents of toluene and p-xylene as solvents of organic semiconductor materials were used. The electrical characteristics of OFETs fabricated by using the mixed solvents could be controlled by changing the ratio of the mixed solvents, and the fabrication of high-performance OFETs having high mobility (9.7 $rm{cm^2}$$rm{V^{-1}}$$rm{s^{-1}}$) and threshold voltage (-0.18 V) was demonstrated.
キーワード (和) 有機電界効果トランジスタ / OFET / C8-BTBT / C12-BTBT / トップゲート / / /  
(英) Organic field-effect transistor / OFET / C8-BTBT / C12-BTBT / Top-gate / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 265, OME2015-58, pp. 43-46, 2015年10月.
資料番号 OME2015-58 
発行日 2015-10-16 (OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OME2015-58 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2015-58

研究会情報
研究会 OME  
開催期間 2015-10-23 - 2015-10-23 
開催地(和) 大阪大学中之島センター 
開催地(英) Osaka Univ. Nakanoshima Center 
テーマ(和) 有機デバイス・センサー,一般 
テーマ(英) Organic devices and sensors, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2015-10-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 混合溶媒による塗布型有機トランジスタの高移動度化および低閾値電圧化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication of OFETs using mixed solvent for high mobility and low threshold voltage 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 有機電界効果トランジスタ / Organic field-effect transistor  
キーワード(2)(和/英) OFET / OFET  
キーワード(3)(和/英) C8-BTBT / C8-BTBT  
キーワード(4)(和/英) C12-BTBT / C12-BTBT  
キーワード(5)(和/英) トップゲート / Top-gate  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中道 諒介 / Ryosuke Nakamichi / ナカミチ リョウスケ
第1著者 所属(和/英) 大阪府立大学 (略称: 阪府大)
Osaka Prefecture University (略称: Osaka Pref. Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 永瀬 隆 / Takashi Nagase / ナガセ タカシ
第2著者 所属(和/英) 大阪府立大学 (略称: 阪府大)
Osaka Prefecture University (略称: Osaka Pref. Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 隆史 / Takashi Kobayashi / コバヤシ タカシ
第3著者 所属(和/英) 大阪府立大学 (略称: 阪府大)
Osaka Prefecture University (略称: Osaka Pref. Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 貞光 雄一 / Yuichi Sadamitsu / サダミツ ユウイチ
第4著者 所属(和/英) 日本化薬株式会社 (略称: 日本化薬)
Nippon Kayaku Co., Ltd. (略称: Nippon Kayaku Co., Ltd.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 内藤 裕義 / Hiroyoshi Naito / ナイトウ ヒロヨシ
第5著者 所属(和/英) 大阪府立大学 (略称: 阪府大)
Osaka Prefecture University (略称: Osaka Pref. Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2015-10-23 15:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 OME 
資料番号 OME2015-58 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.265 
ページ範囲 pp.43-46 
ページ数
発行日 2015-10-16 (OME) 


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