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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-09-03 15:20 低圧RFマグネトロンスパッタ法によるc軸平行配向ZnO膜の形成とSAW、Lamb波デバイスへの応用 ○高柳真司（同志社大）・柳谷隆彦（早大）・Jean-Claude Gerbedoen・Abdelkrim Talbi（IEMN）・松川真美（同志社大）・Philippe Pernod（IEMN）  US2015-50 |
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| 抄録 | （和） | ZnO薄膜はSAWフィルタなど様々な圧電デバイスに応用されてきたが，その多くは(0001)面に優先配向を持つ．一方，(11-20)面配向のようにc軸が基板面に対して平行かつ一方向に成長したZnO膜は，結晶の異方性から弾性波デバイスに応用すると高い電気機械結合係数が得られる．本報告では，RFマグネトロンスパッタ法を用いて低圧下で成膜することで，このc軸平行配向ZnO膜を形成した．また，数値解析より，SAWデバイス構造においてセザワ波の電気機械結合係数K2が3.8%，Lamb波デバイス構造において基本対称モードのK2が10.5%となり，高いK2を示すことが判った。そして実際に，SAW，Lamb波デバイスを試作し，弾性波の励振特性を測定した． |
| （英） | ZnO piezoelectric films are widely used for acoustic wave devices. In most cases the (0001) oriented ZnO films were used. On the other hand, c-axis parallel oriented ZnO films have unique anisotropy of elastic properties enabling to generate acoustic waves with high electromechanical coupling coefficient K2. We demonstrated c-axis parallel oriented ZnO film growth by RF magnetron sputtering at low gas pressure. In theoretical analyses, values of K2, up to 3.8% for sezawa mode SAW and up to 10.5% for the first symmetrical Lamb wave mode, can be achieved with this film. Then, we fabricated SAW and Lamb wave devices, and measure the insertion loss characteristics. | |
| キーワード | （和） | ZnO薄膜 / c軸平行配向膜 / スパッタ法 / 負イオン照射 / SAW / Lamb波 / / |
| （英） | ZnO film / c-Axis parallel oriented film / Sputtering method / Negative ion bombardment / SAW / Lamb wave / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 207, US2015-50, pp. 25-30, 2015年9月. | |
| 資料番号 | US2015-50 | |
| 発行日 | 2015-08-27 (US) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | US2015-50 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | US |
| 開催期間 | 2015-09-03 - 2015-09-04 |
| 開催地（和） | 第一滝本館<br>（北海道登別） |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 一般 |
| テーマ（英） | General |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | US |
| 会議コード | 2015-09-US |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低圧RFマグネトロンスパッタ法によるc軸平行配向ZnO膜の形成とSAW、Lamb波デバイスへの応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of c-axis parallel oriented ZnO film by RF magnetron sputtering at low gas pressure and its application in SAW and Lamb wave devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZnO薄膜 / ZnO film |
| キーワード(2)（和/英） | c軸平行配向膜 / c-Axis parallel oriented film |
| キーワード(3)（和/英） | スパッタ法 / Sputtering method |
| キーワード(4)（和/英） | 負イオン照射 / Negative ion bombardment |
| キーワード(5)（和/英） | SAW / SAW |
| キーワード(6)（和/英） | Lamb波 / Lamb wave |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高柳 真司 / Shinji Takayanagi / タカヤナギ シンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 同志社大学 (略称： 同志社大) Doshisha University (略称： Doshisha Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳谷 隆彦 / Takahiko Yanagitani / ヤナギタニ タカヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Jean-Claude Gerbedoen / Jean-Claude Gerbedoen / |
| 第3著者 所属（和/英） | Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (略称： IEMN) Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (略称： IEMN) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Abdelkrim Talbi / Abdelkrim Talbi / |
| 第4著者 所属（和/英） | Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (略称： IEMN) Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (略称： IEMN) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松川 真美 / Mami Matsukawa / マツカワ マミ |
| 第5著者 所属（和/英） | 同志社大学 (略称： 同志社大) Doshisha University (略称： Doshisha Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | Philippe Pernod / Philippe Pernod / |
| 第6著者 所属（和/英） | Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (略称： IEMN) Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (略称： IEMN) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-09-03 15:20:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | US |
| 資料番号 | US2015-50 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.207 |
| ページ範囲 | pp.25-30 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-08-27 (US) |
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