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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-09-03 15:50 イオンビームアシストRFマグネトロンスパッタ法を用いて作製したc軸平行配向ScAlN薄膜の電気機械結合係数 ○岡 峰生・高柳真司（同志社大）・柳谷隆彦（早大）・松川真美（同志社大）  US2015-51 |
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| 抄録 | （和） | 近年，Scを43%ドープしたAlN薄膜の圧電定数d33が5倍に増加すると報告された．我々は，これまでにc軸垂直配向ScAlN薄膜を形成し，Sc濃度を41%としたとき，電気機械結合係数k33が0.35となることを確認している．一方，Sc濃度とすべりモード電気機械結合係数k15の関係は，まだ報告されていない．そこで本報告では，イオンビームアシストRFマグネトロンスパッタ法によりc軸平行配向ScAlN薄膜を形成し，k15を評価した．その結果，作製したc軸平行配向ScAlN薄膜は横波のみを励振し，Sc濃度を増加させることでk15が増大し，Scが13%の場合，k15が0.044となることが観測された． |
| （英） | Recently, Akiyama et al. found that doping scandium into AlN film increases the number of piezoelectric coefficient d33 fivefold, compared to AlN film. We previously reported the electromechanical coupling coefficient k33 of Sc0.41Al0.59N film was 0.36. On the other hand, c-axis parallel oriented AlN film was grown by ion beam irradiation during AlN deposition. However, the electromechanical coupling coefficient k15 in ScAlN film has never been investigated. In this study, we prepared c-axis parallel oriented ScAlN films by using ion beam assisted RF magnetron sputtering and observed shear wave excitation with ScAlN films. These samples could excite pure shear wave and k15 increased by raising Sc concentration. k15 of Sc0.13Al0.87N film was 0.044. | |
| キーワード | （和） | ScAlN薄膜 / イオンビームアシスト / c軸平行配向膜 / / / / / |
| （英） | ScAlN film / ion-beam assisted sputtering / c-axis parallel oriented film / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 207, US2015-51, pp. 31-35, 2015年9月. | |
| 資料番号 | US2015-51 | |
| 発行日 | 2015-08-27 (US) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | US2015-51 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | US |
| 開催期間 | 2015-09-03 - 2015-09-04 |
| 開催地（和） | 第一滝本館<br>（北海道登別） |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 一般 |
| テーマ（英） | General |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | US |
| 会議コード | 2015-09-US |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | イオンビームアシストRFマグネトロンスパッタ法を用いて作製したc軸平行配向ScAlN薄膜の電気機械結合係数 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electromechanical coupling coefficients of c-axis parallel oriented ScAlN films grown by ion-beam assisted RF magnetron sputtering |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ScAlN薄膜 / ScAlN film |
| キーワード(2)（和/英） | イオンビームアシスト / ion-beam assisted sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | c軸平行配向膜 / c-axis parallel oriented film |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡 峰生 / Mineki Oka / オカ ミネキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 同志社大学 (略称： 同志社大) Doshisha University (略称： Doshisha Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高柳 真司 / Shinji Takayanagi / タカヤナギ シンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 同志社大学 (略称： 同志社大) Doshisha University (略称： Doshisha Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳谷 隆彦 / Takahiko Yanagitani / ヤナギタニ タカヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松川 真美 / Mami Matsukawa / マツカワ マミ |
| 第4著者 所属（和/英） | 同志社大学 (略称： 同志社大) Doshisha University (略称： Doshisha Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-09-03 15:50:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | US |
| 資料番号 | US2015-51 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.207 |
| ページ範囲 | pp.31-35 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-08-27 (US) |
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