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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-08-27 10:35 イオン液体をゲート絶縁膜として用いた高信頼性IGZO-TFTの開発 ○岡田広美・藤井茉美・石河泰明（奈良先端大）・三輪一元（電中研）・浦岡行治（奈良先端大）・小野新平（電中研）  R2015-23 EMD2015-31 CPM2015-47 OPE2015-62 LQE2015-31 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2015-31 CPM2015-47 OPE2015-62 LQE2015-31 |
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| 抄録 | （和） | 非晶質InGaZnO(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)は，優れた電気特性，低温作製可能，ワイドバンドギャップといったフレキシブルディスプレイ応用に適した特徴を持つ．しかし，高性能・高信頼性のTFT作製のためには高温プロセスが必要とされていた．本研究では，a-IGZO-TFTのゲート絶縁膜として，低温で作製できるイオン液体を用いて，高密度キャリア蓄積を利用したa-IGZO-TFTを作製した．作製したTFTは低電圧駆動，低S値 といった優れた特性を示し，さらに，長時間の電圧ストレスに対しても安定であったが，従来の信頼性劣化モデルでは説明できないような信頼性劣化機構が働いていた． |
| （英） | Amorphous-InGaZnO(a-IGZO) thin-film transistors (TFTs) have good characteristics such as low leakage current, high field-effect mobility (μFE) in spite of low-temperature fabrication process. These characteristics are suitable for application of flexible display. To achieve high performance and good reliability, conventional TFTs needs high temperature process. In this study, we demonstrate IGZO-TFTs with Ionic liquid dielectric with low temperature process, high carrier accumulation and low operation voltage. The TFTs show significantly low operation voltage, S.S value, and moreover they are stable for long-term voltage stress. This device shows original degradation mechanism other than conventional deterioration. | |
| キーワード | （和） | フレキシブルディスプレイ / a-InGaZnO(a-IGZO) / 薄膜トランジスタ(TFT) / ゲート絶縁膜 / イオン液体 / イオンゲル / / |
| （英） | Flexible display / a-InGaZnO(a-IGZO) / Thin film transistors(TFTs) / Gate dielectric / Ionic liquid / Ion gel / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 194, R2015-23, pp. 5-8, 2015年8月. | |
| 資料番号 | R2015-23 | |
| 発行日 | 2015-08-20 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | R2015-23 EMD2015-31 CPM2015-47 OPE2015-62 LQE2015-31 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2015-31 CPM2015-47 OPE2015-62 LQE2015-31 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM OPE LQE R EMD |
| 開催期間 | 2015-08-27 - 2015-08-28 |
| 開催地（和） | 青森県観光物産館アスパム |
| 開催地（英） | Aomori-Bussankan-Asupamu |
| テーマ（和） | 光部品・電子デバイス実装技術・信頼性、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | R |
| 会議コード | 2015-08-CPM-OPE-LQE-R-EMD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | イオン液体をゲート絶縁膜として用いた高信頼性IGZO-TFTの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Elecrically Stable IGZO Thin Film Transistors using Ionic-Liquid Gate Dielectric |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | フレキシブルディスプレイ / Flexible display |
| キーワード(2)（和/英） | a-InGaZnO(a-IGZO) / a-InGaZnO(a-IGZO) |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜トランジスタ(TFT) / Thin film transistors(TFTs) |
| キーワード(4)（和/英） | ゲート絶縁膜 / Gate dielectric |
| キーワード(5)（和/英） | イオン液体 / Ionic liquid |
| キーワード(6)（和/英） | イオンゲル / Ion gel |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 広美 / Hiromi Okada / オカダ ヒロミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤井 茉美 / Mami Fujii / フジイ マミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石河 泰明 / Yasuaki Ishikawa / イシカワ ヤスアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三輪 一元 / Kazumoto Miwa / ミワ カズモト |
| 第4著者 所属（和/英） | 一般財団法人電力中央研究所 (略称： 電中研) Central Research Institute of Electric Power Industry (略称： CRIEPI) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル |
| 第5著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小野 新平 / Shimpei Ono / オノ シンペイ |
| 第6著者 所属（和/英） | 一般財団法人電力中央研究所 (略称： 電中研) Central Research Institute of Electric Power Industry (略称： CRIEPI) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-08-27 10:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | R |
| 資料番号 | R2015-23, EMD2015-31, CPM2015-47, OPE2015-62, LQE2015-31 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.194(R), no.195(EMD), no.196(CPM), no.197(OPE), no.198(LQE) |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-08-20 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
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