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講演抄録/キーワード
講演名 2015-08-25 11:45
線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるしきい値電圧および電流ばらつき
水谷朋子棚橋裕麻鈴木龍太更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2015-68 ICD2015-37 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-68 ICD2015-37
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) (Not available yet)
キーワード (和) ナノワイヤトランジスタ / ばらつき / 量子閉じ込め効果 / / / / /  
(英) Nanowire MOSFET / Variability / Quantum Confinement / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 190, SDM2015-68, pp. 59-62, 2015年8月.
資料番号 SDM2015-68 
発行日 2015-08-17 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード SDM2015-68 ICD2015-37 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-68 ICD2015-37

研究会情報
研究会 SDM ICD  
開催期間 2015-08-24 - 2015-08-25 
開催地(和) 熊本市 
開催地(英) Kumamoto City 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2015-08-SDM-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるしきい値電圧および電流ばらつき 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Threshold Voltage and Current Variability of Extremely Narrow Silicon Nanowire MOSFETs with Width down to 2nm 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ナノワイヤトランジスタ / Nanowire MOSFET  
キーワード(2)(和/英) ばらつき / Variability  
キーワード(3)(和/英) 量子閉じ込め効果 / Quantum Confinement  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 水谷 朋子 / Tomoko Mizutani / ミズタニ トモコ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 棚橋 裕麻 / Yuma Tanahashi / タナハシ ユウマ
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 龍太 / Ryota Suzuki / スズキ リョウタ
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 更屋 拓哉 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ
第4著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 正治 / Masaharu Kobayashi / コバヤシ マサハル
第5著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ
第6著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
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講演者
発表日時 2015-08-25 11:45:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2015-68,IEICE-ICD2015-37 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.190(SDM), no.191(ICD) 
ページ範囲 pp.59-62 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2015-08-17,IEICE-ICD-2015-08-17 


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