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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-08-25 10:55 ［招待講演］high-k添加シングルp+Polyゲートを用いた超低リーク用途向け薄膜BOX-SOI CMOS ○山本芳樹・槇山秀樹・山下朋弘・尾田秀一・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・水谷朋子・小林正治・平本俊郎（東大）  SDM2015-67 ICD2015-36 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-67 ICD2015-36 |
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| 抄録 | （和） | 薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた超低リークアプリケーションの実証について報告する。Mid-gap仕事関数を持つP+-Poly/Hfゲート構造をNMOS,PMOS両方に適用し、基板バイアスの印加無しで0.2pA/umまでトランジスタリークを低減。低バラツキを維持することで、2Mbit-SRAMでもVDD=0.9V動作を保証し、100kGate,1Mbit-SRAM規模のChipで100nA/chipレベルの低リーク特性を実現した。 |
| （英） | We demonstrate a cost effective 65-nm SOTB CMOS technology for ultra-low leakage applications. Novel single p+poly-Si/Hf/SiON gate stack of mid-gap work function and precise GIDL control achieved ultra-low leakage of 0.2 pA/µm, which corresponds to approx. 100nA/chip (100k gate logic). Now the SOTB technology can provide three options from ultra-low voltage to ultra-low leakage that covers a wide variety of applications in the Internet of Things (IoT) era. | |
| キーワード | （和） | SOI / 薄膜BOX / 低スタンバイーリーク / SRAM / / / / |
| （英） | SOI / thin BOX / Low Standby Leakage / SRAM / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 190, SDM2015-67, pp. 53-57, 2015年8月. | |
| 資料番号 | SDM2015-67 | |
| 発行日 | 2015-08-17 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-67 ICD2015-36 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-67 ICD2015-36 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD |
| 開催期間 | 2015-08-24 - 2015-08-25 |
| 開催地（和） | 熊本市 |
| 開催地（英） | Kumamoto City |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-08-SDM-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | high-k添加シングルp+Polyゲートを用いた超低リーク用途向け薄膜BOX-SOI CMOS |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Novel Single p+Poly-Si/Hf/SiON Gate Stack Technology on Silicon-on-Thin-Buried-Oxide (SOTB) for Ultra-Low Leakage Applications |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜BOX / thin BOX |
| キーワード(3)（和/英） | 低スタンバイーリーク / Low Standby Leakage |
| キーワード(4)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 芳樹 / Yoshiki Yamamoto / ヤマモト ヨシキ |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 槇山 秀樹 / Hideki Makiyama / マキヤマ ヒデキ |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 朋弘 / Tomohiro Yamashita / ヤマシタ トモヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾田 秀一 / Hidekazu Oda / オダ ヒデカズ |
| 第4著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蒲原 史朗 / Shiro Kamohara / カモハラ シロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics Corp.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 泰男 / Yasuo Yamaguchi / ヤマグチ ヤスオ |
| 第6著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics Corp.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉井 信之 / Nobuyuki Sugii / スギイ ノブユキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水谷 朋子 / Tomoko Mizutani / ミズタニ トモコ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： UT) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 正治 / Masaharu Kobayashi / コバヤシ マサハル |
| 第9著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： UT) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
| 第10著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： UT) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-08-25 10:55:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-67, ICD2015-36 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.190(SDM), no.191(ICD) |
| ページ範囲 | pp.53-57 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-08-17 (SDM, ICD) |
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