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講演抄録/キーワード
講演名 2015-07-24 14:05
リセスゲートAlGaN/GaN-HEMT向け低ダメージドライエッチング
美濃浦優一岡本直哉多木俊裕尾崎史朗牧山剛三鎌田陽一渡部慶二富士通研ED2015-38 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-38
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文献情報 信学技報, vol. 115, no. 156, ED2015-38, pp. 9-13, 2015年7月.
資料番号 ED2015-38 
発行日 2015-07-17 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2015-07-24 - 2015-07-25 
開催地(和) ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) 
開催地(英) IT Business Plaza Musashi 5F 
テーマ(和) 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 
テーマ(英) Semiconductor Processes and Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2015-07-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) リセスゲートAlGaN/GaN-HEMT向け低ダメージドライエッチング 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Low Damage Dry Etching for Recessed Gate AlGaN/GaN-HEMTs 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 美濃浦 優一 / Yuichi Minoura / ミノウラ ユウイチ
第1著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡本 直哉 / Naoya Okamoto / オカモト ナオヤ
第2著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 多木 俊裕 / Toshihiro Ohki / オオキ トシヒロ
第3著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 尾崎 史朗 / Shiro Ozaki / オザキ シロウ
第4著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧山 剛三 / Kozo Makiyama / マキヤマ コウゾウ
第5著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 鎌田 陽一 / Yoichi Kamada / カマダ ヨウイチ
第6著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡部 慶二 / Keiji Watanabe / ワタナベ ケイジ
第7著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
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講演者
発表日時 2015-07-24 14:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2015-38 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.156 
ページ範囲 pp.9-13 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2015-07-17 


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