講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-06-19 14:15
メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明 ○岡 博史・箕浦佑也・淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司(阪大) SDM2015-48 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-48 |
抄録 |
(和) |
Ge n-MOSFETではn型不純物の低い活性化率および高い拡散係数に加え、金属電極/Ge界面におけるフェルミレベルピニング(FLP)がソース/ドレイン(S/D)領域の寄生抵抗増大を招く。従来のpn接合を金属/Ge接合に置き換えたmetal-S/D MOSFETは拡散層抵抗の大幅な低減が可能であるが、FLPに伴う電子に対する高いショットキー障壁(eSBH)はmetal-S/D p-MOSFET実現を容易にする反面、metal-S/D n-MOSFETはFLPを解消しない限り実現できない。我々はこれまでにNiGe/Ge接合へのPイオン注入によりeSBHが大幅に低減することを見出しており、本研究ではPイオンによるNiGe/Ge界面の障壁変調機構を解明するため、NiGe層中におけるP原子の熱拡散・活性化挙動を調べた。さらに、本接合障壁変調手法を用いてmetal-S/D Ge MOSFETの試作を行った。 |
(英) |
Besides low solubility and activation rate of n-type dopant in Ge, Fermi level pinning (FLP) at metal/Ge interface leads to a significant increase in parasitic resistance in Ge n-MOSFET. Although metal-S/D is a plausible way to reduce parasitic resistance in scaled MOSFET, high electron Schottky barrier height (eSBH) due to FLP is still a critical issue in metal-S/D n-MOSFET. Recently, we have reported eSBH reduction of NiGe/Ge contacts using P+ implantation after germanidation. However, the mechanism of eSBH modulation and suitable P+ profiles in NiGe/Ge contacts are still unclear. In this study, we investigated the diffusion and activation behavior of P atoms in NiGe/Ge systems and demonstrated metal-S/D Ge MOSFET using eSBH-controlled NiGe/Ge junctions. |
キーワード |
(和) |
ゲルマニウム / フェルミレベルピニング / メタルソース/ドレイン / Pイオン注入 / / / / |
(英) |
Germanium / Fermi level pinning / Metal source/drain / P ion implantation / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 108, SDM2015-48, pp. 51-55, 2015年6月. |
資料番号 |
SDM2015-48 |
発行日 |
2015-06-12 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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