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講演抄録/キーワード
講演名 2015-06-19 11:30
[依頼講演]SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響
竹内和歌奈名大)・山本建策デンソー)・坂下満男名大)・金村髙司デンソー)・中塚 理財満鎭明名大SDM2015-43 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-43
抄録 (和) SiO2/4H-SiC界面特性に対するNOガス雰囲気熱処理の効果を調べた。NOガス雰囲気熱処理MOSキャパシタ試料の電気特性はWet雰囲気熱処理とは異なる結果が得られた。NOガス雰囲気熱処理においては、正の固定電荷が存在し、Ei+1.5 eV (EC−0.1 eV)から伝導帯端に向けて界面準位密度が増大した。また、界面欠陥の性質はドナー型を示した。これらの結果から、NOガス雰囲気熱処理ではnチャネルMOSFETにおいてクーロン散乱の影響により、移動度が減少する可能性が示唆された。 
(英) We have investigated the effect of NO-annealing for SiO2/4H-SiC interface properties. The electrical properties of the NO-annealed MOS capacitor sample are different from that of the wet-annealed sample. The NO-annealing generates positive charges in the insulator layer. The interface state density, Dit from Ei+1.5 eV (EC−0.1 eV) to an energy near the conduction band edge increases by NO-annealing. The type of Dit near the conduction band edge in the nitrided SiO2/SiC interface is identified as donor. It is considered that Coulomb scattering causes decreasing the n-channel mobility of the SiO2/ SiC interface by NO-annealing.
キーワード (和) 4H-SiC / 界面準位密度 / SiO2/SiC界面 / NOガス雰囲気熱処理 / / / /  
(英) 4H-SiC / interface state density / SiO2/SiC interface / NO-annealing / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 108, SDM2015-43, pp. 27-30, 2015年6月.
資料番号 SDM2015-43 
発行日 2015-06-12 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード SDM2015-43 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-43

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2015-06-19 - 2015-06-19 
開催地(和) 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 
開催地(英) VBL, Nagoya Univ. 
テーマ(和) MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2015-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effect of oxynitridation annealing on defect properties at SiO2/SiC MOS interface 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 4H-SiC / 4H-SiC  
キーワード(2)(和/英) 界面準位密度 / interface state density  
キーワード(3)(和/英) SiO2/SiC界面 / SiO2/SiC interface  
キーワード(4)(和/英) NOガス雰囲気熱処理 / NO-annealing  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 和歌奈 / Wakana Takeuchi / タケウチ ワカナ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 建策 / Kensaku Yamamoto / ヤマモト ケンサク
第2著者 所属(和/英) 株式会社デンソー (略称: デンソー)
DENSO CORPORATION (略称: DENSO CORP.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 金村 髙司 / Takashi Kanemura / カネムラ タカシ
第4著者 所属(和/英) 株式会社デンソー (略称: デンソー)
DENSO CORPORATION (略称: DENSO CORP.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム
第5著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ
第6著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者
発表日時 2015-06-19 11:30:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2015-43 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.108 
ページ範囲 pp.27-30 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2015-06-12 


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