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講演抄録/キーワード
講演名 2015-06-19 10:50
[依頼講演]3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討
野口宗隆岩松俊明三浦成久中田修平山川 聡三菱電機エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-41
抄録 (和) SiC には異なるバンドギャップを持つ、様々なポリタイプが存在し、異種ポリタイプ接合を用いたSiCデバイスの可能性が考えられる。本報告では、従来の4H-SiCのみから構成されるSiC MOSFETよりも、チャネル特性を向上し、耐圧を保持する素子構造の提案を目的とし、3C/4H 異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETについてシミュレーションによる検討を行った。3C/4H 異種ポリタイプ接合にはバンドオフセットに起因する抵抗が存在するため、これをトンネル電流にて低抵抗化するデバイス構造について調査した。その結果、3C/4H 異種ポリタイプ接合の間にそれらの中間のバンドギャップを持つ半導体層の導入が不可欠であり、不純物濃度設計が重要であることが判明した。 
(英) SiliconCarbide (SiC) have different poly-types, which shows various energy bandgap. This suggests the possibility of SiC devices with different poly-types. In this study, SiC MOSFETs with junctions consisted of 3C- and 4H-SiC are simulated in order to propose the device structure which exhibit better channel properties than conventional 4H-SiC MOSFETs without any degradation of the breakdown voltage. There exist the resistance between 3C- and 4H-SiC, ascribe to the band offset between these. We connected 3C- and 4H-SiC by electron tunneling for suppressing the resistance between these. It is found that materials which exhibit energy bandgap between 3C- and 4H-SiC have to be inserted between 3C- and 4H-SiC. In addition, their impurity concentrations must be carefully designed.
キーワード (和) SiC / 3C-SiC / 4H-SiC / ヘテロ接合 / トンネリング / 絶縁破壊 / オン抵抗 / 異種ポリタイプ  
(英) SiC / 3C-SiC / 4H-SiC / Hetero junction / Tunneling / breakdown / on resistance / different poly-type  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 108, SDM2015-41, pp. 17-20, 2015年6月.
資料番号 SDM2015-41 
発行日 2015-06-12 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2015-06-19 - 2015-06-19 
開催地(和) 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 
開催地(英) VBL, Nagoya Univ. 
テーマ(和) MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2015-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Investigation of SiC MOSFETs with 3C/4H Different Poly-Type Junctions 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SiC / SiC  
キーワード(2)(和/英) 3C-SiC / 3C-SiC  
キーワード(3)(和/英) 4H-SiC / 4H-SiC  
キーワード(4)(和/英) ヘテロ接合 / Hetero junction  
キーワード(5)(和/英) トンネリング / Tunneling  
キーワード(6)(和/英) 絶縁破壊 / breakdown  
キーワード(7)(和/英) オン抵抗 / on resistance  
キーワード(8)(和/英) 異種ポリタイプ / different poly-type  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 野口 宗隆 / Muentaka Noguchi / ノグチ ムネタカ
第1著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称: Mitsubishi Electric)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩松 俊明 / Toshiaki Iwamatsu / イワマツ トシアキ
第2著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称: Mitsubishi Electric)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 成久 / Naruhisa Miura / ミウラ ナルヒサ
第3著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称: Mitsubishi Electric)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中田 修平 / Shuhei Nakata / ナカタ シュウヘイ
第4著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称: Mitsubishi Electric)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 山川 聡 / Satoshi Yamakawa / ヤマカワ サトシ
第5著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称: Mitsubishi Electric)
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講演者
発表日時 2015-06-19 10:50:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2015-41 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.108 
ページ範囲 pp.17-20 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2015-06-12 


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