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| 講演名 | 2015-06-19 10:10 ［依頼講演］Al2O3/Ga2O3界面構造とその面方位依存性 ○上村崇史・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT）  SDM2015-40 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-40 |
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| 抄録 | （和） | Al2O3/n-Ga2O3 (010) とAl2O3/n-Ga2O3 ("2" ̅01) 構造の界面準位密度 (Dit) 分布をHi-Lo法で調べ, エネルギー範囲：E - EC = -0.8~-0.1 eVで, それぞれ5×1010~9×1011 cm-2eV-1, 2×1010~2×1011 cm-2eV-1を得た. さらに, 透過型電子顕微鏡(TEM) による構造観察において, Al2O3/Ga2O3 ("2" ̅01) では, Al2O3膜が全てアモルファスで形成されていることに対し, Al2O3/Ga2O3 (010) では, Ga2O3基板上に3.2±0.7 nmの結晶Al2O3中間層が形成され, 続いてアモルファスAl2O3膜が形成されることがわかった. Ditの面方位依存性は, この結晶Al2O3中間層の有無に起因していると考えられる. さらに, n-Ga2O3 (010) 基板上で, Al2O3層の成膜温度が高いほど, 結晶Al2O3層が厚くなり, Ditは減少することを見出した. |
| （英） | The interface state densities (Dit) of Al2O3/n-Ga2O3 (010) and Al2O3/n-Ga2O3 ("2" ̅01) were evaluated with Hi-Lo C-V method; they showed Dit of 5×1010–9×1011 cm-2eV-1, 2×1010–2×1011 cm-2eV-1, respectively, in energy rage of E - EC = -0.8–-0.1 eV. The Dit of Al2O3/n-Ga2O3 (010) was lower than that of Al2O3/n-Ga2O3 ("2" ̅01). In the structural observation by cross-sectional TEM, a uniform amorphous Al2O3 layer was observed on the Ga2O3 ("2" ̅01) substrate. On the other hand, a crystalline Al2O3 layer with a thickness of 3.2±0.7 nm was formed between the Ga2O3 (010) substrate and an amorphous Al2O3 top layer, and the crystalline layer effectively suppresses the Dit. Moreover, on the n-Ga2O3 (010) substrate, the Dit decreased with increasing a deposition temperature of Al2O3 layer. | |
| キーワード | （和） | 酸化ガリウム / 界面準位密度 / 原子層堆積 / MOS / / / / |
| （英） | Gallium Oxide / Interface state density / Atomic layer deposition / MOS / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 108, SDM2015-40, pp. 11-16, 2015年6月. | |
| 資料番号 | SDM2015-40 | |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-40 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-40 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-06-19 - 2015-06-19 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Al2O3/Ga2O3界面構造とその面方位依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Al2O3/Ga2O3 interface structure and its surface orientation dependence |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化ガリウム / Gallium Oxide |
| キーワード(2)（和/英） | 界面準位密度 / Interface state density |
| キーワード(3)（和/英） | 原子層堆積 / Atomic layer deposition |
| キーワード(4)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上村 崇史 / Takafumi Kamimura / カミムラ タカフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) The National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | ダイワシガマニ キルシナムルティ / Daivasigamani Krishnamurthy / ダイワシガマニ キルシナムルティ |
| 第2著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) The National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 倉又 朗人 / Akito Kuramata / クラマタ アキト |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社 タムラ製作所 (略称： タムラ製作所) Tamura Corporation (略称： Tamura Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山腰 茂伸 / Shigenobu Yamakoshi / ヤマコシ シゲノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社 タムラ製作所 (略称： タムラ製作所) Tamura corporation (略称： Tamura Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東脇 正高 / Masataka Higashiwaki / ヒガシワキ マサタカ |
| 第5著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) The National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-06-19 10:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-40 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.108 |
| ページ範囲 | pp.11-16 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) |
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