講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-06-19 13:55
化学気相成長法を用いて作製した単層グラフェンの積層による2層グラフェンの作製と電気特性 ○星野 崚・林 佑太郎・今井健太郎・鈴木 希・永田知子・岩田展幸・山本 寛(日大) EMD2015-13 CPM2015-23 OME2015-26 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2015-13 CPM2015-23 OME2015-26 |
抄録 |
(和) |
単層グラフェンを積み重ねることで2層グラフェンを作製した。化学気相成長(Chemical Vapor Deposition: CVD)法により成長させたグラフェンを、ポリメチルメタクリレート(Poly methyl methacrylate : PMMA)を保護膜としてSiO2/Si 基板へ転写した。Cu箔とPMMA膜を除去するためFe(NO)3と酢酸を用いてエッチングを行った。この転写・エッチングのプロセスを2回行うことにより2層グラフェンを作製した。この2層グラフェンの電気伝導特性を測定した。シート抵抗は290Kで1300Ω/sqであり、275Kから40Kまでは金属的伝導を示し、40K以下では半導体的伝導を示した。 |
(英) |
Bilayer graphene was fabricated by stacking two single-layered graphene sheets. The single layered graphene was prepared by chemical vapor deposition (CVD) method on Cu foil and transferred on SiO2/Si substrate. For the transport, poly methyl methacrylate (PMMA) was used as a tentative protection film. Cu foil and PMMA film were removed after the transport by soaking in Fe(NO)3 aqueous solution and CH3COOH. The sheet resistance was 1300Ω/sq at 290K. The metallic conductivity was observed above 40K while semiconductive property was observed below 40K. |
キーワード |
(和) |
化学気相成長法 / グラフェン / 積層 / 2層グラフェン / / / / |
(英) |
Chemical Vapor Deposition / Graphene / Deposition / Bi-layers Graphene / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 104, CPM2015-23, pp. 11-15, 2015年6月. |
資料番号 |
CPM2015-23 |
発行日 |
2015-06-12 (EMD, CPM, OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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