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講演抄録/キーワード
講演名 2015-06-19 14:55
Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果
浅野孝典柴山茂久竹内和歌奈坂下満男中塚 理財満鎭明名大SDM2015-50 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-50
抄録 (和) Ge1-xSnx半導体のキャリア密度の制御のためには、禁制帯中にacceptor-likeな準位を形成する欠陥の理解と制御が重要である。我々は、Al/Al2O3/GeO2/Ge1-xSnx/p-Ge(001)構造MOSキャパシタの作製、および電気的特性の評価によって、Ge1-xSnx薄膜中の欠陥の消滅・形成へのSn組成と熱処理温度・雰囲気の影響を詳細に調べた。Ge1-xSnx層への転位の導入を抑制するように熱処理温度を増大することで、欠陥密度を低減できる。また、欠陥準位のエネルギー深さは、Sn組成が6%と高いときのみ熱処理によって減少することがわかった。これは熱処理に伴うSnに関連した欠陥の形成を示唆している。 
(英) In order to control the carrier concentration in Ge1-xSnx epitaxial layer, it is important to understand and control defects in Ge1-xSnx, which form an acceptor-like state in the forbidden band. We examined the fabrication and the electric measurements of Al/Al2O3/GeO2/Ge1-xSnx/p-Ge(001) MOS capacitors, and investigated in detail the influence of the Sn content, and temperature and ambient of post deposition annealing (PDA) on the annihilation and formation of defects in Ge1-xSnx epitaxial layers. The acceptor density can be reduced by increasing the PDA temperature, which does not cause the introduction of dislocations in Ge1-xSnx layer. Also, the energy of the defect state decreases after PDA only for a high-Sn-content Ge1-xSnx, indicating the formation of Sn-related defects by PDA.
キーワード (和) Ge1-xSnx / エピタキシャル成長 / 欠陥 / 電気特性 / / / /  
(英) Ge1-xSnx / epitaxial growth / defects / electrical property / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 108, SDM2015-50, pp. 63-68, 2015年6月.
資料番号 SDM2015-50 
発行日 2015-06-12 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード SDM2015-50 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-50

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2015-06-19 - 2015-06-19 
開催地(和) 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 
開催地(英) VBL, Nagoya Univ. 
テーマ(和) MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2015-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effect of annealing on defects in Ge1-xSnx epitaxial layers 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Ge1-xSnx / Ge1-xSnx  
キーワード(2)(和/英) エピタキシャル成長 / epitaxial growth  
キーワード(3)(和/英) 欠陥 / defects  
キーワード(4)(和/英) 電気特性 / electrical property  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 浅野 孝典 / Takanori Asano / アサノ タカノリ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 柴山 茂久 / Shigehisa Shibayama / シバヤマ シゲヒサ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 和歌奈 / Wakana Takeuchi / タケウチ ワカナ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム
第5著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ
第6著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者
発表日時 2015-06-19 14:55:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2015-50 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.108 
ページ範囲 pp.63-68 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2015-06-12 


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