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| 講演名 | 2015-06-19 09:50 ［依頼講演］容量過渡分光法によるMOCVD n-GaNのトラップ評価 ○徳田 豊（愛知工大）  SDM2015-39 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-39 |
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| 抄録 | （和） | トラップからのキャリア放出による空乏層容量過渡応答に基づく容量過渡分光法を用いて、MOCVD n-GaNのトラップ評価を行った。評価に用いた対象デバイスは主にショットキーダイオードであり、電圧パルスを用いるDeep level transient spectroscopy (DLTS)法により電子トラップを評価し、禁制帯幅以上の光パルスを用いるMinority carrier transient spectroscopy (MCTS)法により正孔トラップを評価した。９個の電子トラップと５個の正孔トラップを検出した。なかでも、Ev+0.86~0.89 eV正孔トラップは濃度が高く（~1016 cm-3）、デバイス特性との関連性で興味深い。また、Ev+0.86~0.89 eV正孔トラップは炭素、Ga空孔関連欠陥の両者に関係している可能性があり、MCTSと禁制帯幅以下の光パルスを用いるOptical DLTS (ODLTS)を組み合わせた手法による分離評価も試みた。 |
| （英） | Capacitance transient spectroscopy based on the depletion layer capacitance transients resulting from carrier emission from filled traps has been used to study traps in MOCVD n-GaN. For Schottky diodes employed in this study, electron traps are detected with Deep level transient spectroscopy (DLTS) using bias pulses, while hole traps with Minority carrier transient spectroscopy (MCTS) using above-band-gap light pulses. A total of nine electron traps and a total of five hole traps are observed in MOCVD n-GaN. Among them, the Ev+0.86~0.89 eV hole trap has high trap concentration（~1016 cm-3）and might affect the performance of various GaN-based devices. It is possible that the Ev+0.86~0.89 eV hole trap is associated with carbon- and Ga vacancy-related defects. We present a method to distinguish between Ga vacancy-related and carbon-related hole traps by the combination of MCTS and optical deep level transient spectroscopy (ODLTS) using below-band-gap light pulses. | |
| キーワード | （和） | GaN / トラップ / DLTS / MCTS / / / / |
| （英） | GaN / trap / DLTS / MCTS / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 108, SDM2015-39, pp. 5-10, 2015年6月. | |
| 資料番号 | SDM2015-39 | |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-39 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-39 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-06-19 - 2015-06-19 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 容量過渡分光法によるMOCVD n-GaNのトラップ評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of traps in MOCVD n-GaN by capacitance transient spectroscopy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | トラップ / trap |
| キーワード(3)（和/英） | DLTS / DLTS |
| キーワード(4)（和/英） | MCTS / MCTS |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 徳田 豊 / Yutaka Tokuda / トクダ ユタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 愛知工業大学 (略称： 愛知工大) Aichi Institute of Technology (略称： Aich Inst. of Technol.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-06-19 09:50:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-39 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.108 |
| ページ範囲 | pp.5-10 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) |
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