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講演抄録/キーワード
講演名 2015-06-19 15:15
スポットサイズ変換器集積GaAs基板上量子ドットレーザ
植竹理人高林和雅木村徳治山本剛之富士通研)・山口正臣高田 幹武政敬三菅原 充QDレーザ)・荒川泰彦東大エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2015-17 LQE2015-27
抄録 (和) シリコン(Si)基板上への高密度な光集積を可能にするSiフォトニクス技術は、小型・大容量な光送受信器を実現する上で有望な技術として期待されている。現在、Siフォトニクスに搭載する光源には、化合物半導体レーザが用いられ、特に優れた温度特性を有する量子ドットレーザ(QD-LD)が注目されている。しかしながら、シリコンチップに搭載したQD-LDは、QD-LDの狭い垂直方向のスポットサイズによりSi導波路との結合損失が大きい傾向にあった。今回、出射端に向けて徐々に厚さが薄くなる膜厚テーパ型のスポットサイズ変換器を波長1.3 μm帯の QD-LDに集積し、23°以下の狭い垂直方向のビーム放射角を実現したので報告する。 
(英) Silicon (Si) photonics is a promising technology for compact, large-capacity optical transmitters and receivers. As a light source for the Si photonics, compound semiconductor laser diodes are currently used. Quantum-dot laser diodes (QD-LDs) are attractive light sources for the Si photonics because their light output characteristics are insensitive to temperature. However, coupling efficiency between QD-LDs and Si waveguides is relatively low because the spot size of QD-LDs is small. In this work, we have demonstrated narrow far-field patterns less than 23° by 1.3-μm QD-LDs integrated with a thickness tapered waveguide as a spot-size converter.
キーワード (和) シリコンフォトニクス / 量子ドットレーザ / スポットサイズ変換器 / ファーフィールドパターン / / / /  
(英) Silicon photonics / Quantum-dot laser diodes / Spot-size converter / Narrow far-field patterns / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 107, LQE2015-27, pp. 35-38, 2015年6月.
資料番号 LQE2015-27 
発行日 2015-06-12 (OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 LQE OPE  
開催期間 2015-06-19 - 2015-06-19 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英)  
テーマ(和) 「材料デバイスサマーミーティング」アクティブデバイスと集積化技術、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2015-06-LQE-OPE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) スポットサイズ変換器集積GaAs基板上量子ドットレーザ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Spot-size converter integrated quantum dot laser diodes on GaAs substrate. 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコンフォトニクス / Silicon photonics  
キーワード(2)(和/英) 量子ドットレーザ / Quantum-dot laser diodes  
キーワード(3)(和/英) スポットサイズ変換器 / Spot-size converter  
キーワード(4)(和/英) ファーフィールドパターン / Narrow far-field patterns  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 植竹 理人 / Ayahito Uetake / ウエタケ アヤヒト
第1著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 高林 和雅 / Kazumasa Takabayashi / タカバヤシ カズマサ
第2著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 徳治 / Tokuharu Kimura / キムラ トクハル
第3著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 剛之 / Tsuyoshi Yamamoto / ヤマモト ツヨシ
第4著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 正臣 / Masaomi Yamaguchi / ヤマグチ マサオミ
第5著者 所属(和/英) 株式会社QDレーザ (略称: QDレーザ)
QD laser (略称: QD laser)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 高田 幹 / Kan Takada / タカダ カン
第6著者 所属(和/英) 株式会社QDレーザ (略称: QDレーザ)
QD laser (略称: QD laser)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 武政 敬三 / Keizo Takemasa / タケマサ ケイゾウ
第7著者 所属(和/英) 株式会社QDレーザ (略称: QDレーザ)
QD laser (略称: QD laser)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 菅原 充 / Mitsuru Sugawara / スガワラ ミツル
第8著者 所属(和/英) 株式会社QDレーザ (略称: QDレーザ)
QD laser (略称: QD laser)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒川 泰彦 / Yasuhiko Arakawa /
第9著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
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講演者
発表日時 2015-06-19 15:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-OPE2015-17,IEICE-LQE2015-27 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.106(OPE), no.107(LQE) 
ページ範囲 pp.35-38 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-OPE-2015-06-12,IEICE-LQE-2015-06-12 


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