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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-06-19 13:00 Arイオン注入を用いた1550 nm帯多重積層QD構造の組成混晶化と光集積素子への応用 ○松本 敦（NICT）・武井勇樹（早大）・赤羽浩一・山本直克・川西哲也（NICT）・石川 浩・松島裕一・宇高勝之（早大）  OPE2015-12 LQE2015-22 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2015-12 LQE2015-22 |
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| 抄録 | （和） | 多重積層半導体量子ドット（QD）構造を用いたモノリシック光集積デバイス実現に向け、ICP-RIEのArプラズマ照射による組成混晶化技術を検討し、それを用いて量子ドット半導体光増幅器（QD-SOA）と2重リング共振器型波長選択フィルタを集積させた光論理ゲート素子を検討してきた。今回、従来技術の問題点を改善するため、Arをイオン注入することによる組成混晶化を検討した。組成混晶化プロセスの条件を適切にすることで、約120 nm程度の発光波長の短波長化を示し、また、SIMS分析によりその物理的要因の一つがGa元素の拡散に起因していることを明らかにした。またブロードタイプのLDを作製し、良好な特性であることを示した。 |
| （英） | In order to realize the monolithic optical integrated devices with using highly stacked semiconductor quantum dots structure, we have studied the intermixing technique using Ar plasma of ICP-RIE, and also, fabricated the optical logic gate device integrated with QD-SOA and ring resonator filter. In this paper, we investigated the intermixing technique with Ar ion implantation and showed the peak wavelength shift of about 120 nm. And we indicated one of the factors of intermixing was Ga diffusion by the SIMS analysis. Also, fabricating the broad type LD with the Ar implantation intermixing, we obtained the fine characteristics. | |
| キーワード | （和） | 量子ドット / 組成混晶化 / イオン注入 / 光集積デバイス / / / / |
| （英） | Quantum dots / Quantum Dot Intermixing / Ion implantation / Optical integrated device / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 106, OPE2015-12, pp. 9-13, 2015年6月. | |
| 資料番号 | OPE2015-12 | |
| 発行日 | 2015-06-12 (OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OPE2015-12 LQE2015-22 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2015-12 LQE2015-22 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE OPE |
| 開催期間 | 2015-06-19 - 2015-06-19 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 「材料デバイスサマーミーティング」アクティブデバイスと集積化技術、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OPE |
| 会議コード | 2015-06-LQE-OPE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Arイオン注入を用いた1550 nm帯多重積層QD構造の組成混晶化と光集積素子への応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 1550nm-Band Highly-Stacked QD Intermixing with Ar Implantation for Photonic Integrated Devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット / Quantum dots |
| キーワード(2)（和/英） | 組成混晶化 / Quantum Dot Intermixing |
| キーワード(3)（和/英） | イオン注入 / Ion implantation |
| キーワード(4)（和/英） | 光集積デバイス / Optical integrated device |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 敦 / Atsushi Matsumoto / タケイ ユウキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武井 勇樹 / Yuki Takei / アカハネ コウイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤羽 浩一 / Kouichi Akahane / ヤマモト ナオカツ |
| 第3著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 直克 / Naokatsu Yamamoto / カワニシ テツヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川西 哲也 / Tetsuya Kawanishi / イシカワ ヒロシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 浩 / Hiroshi Ishikawa / マツシマ ユウイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松島 裕一 / Yuichi Matsushima / ウタカ カツユキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宇高 勝之 / Katsuyuki Utaka / |
| 第8著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-06-19 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OPE |
| 資料番号 | OPE2015-12, LQE2015-22 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.106(OPE), no.107(LQE) |
| ページ範囲 | pp.9-13 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-06-12 (OPE, LQE) |
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