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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-05-29 09:55 4H-SiC表面再結合速度の温度依存性の定量的評価 ○小濱公洋・森 祐人・加藤正史・市村正也（名工大）  ED2015-30 CPM2015-15 SDM2015-32 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2015-30 CPM2015-15 SDM2015-32 |
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| 抄録 | （和） | SiCバイポーラデバイスにおいて重要なパラメータであるキャリアライフタイムの制限因子のひとつに表面再結合速度がある。本研究では表面再結合速度の温度依存性に注目し、マイクロ波光導電減衰法による測定と数値解析によって定量的に評価を行った。その結果4H-SiCの表面再結合速度の温度依存性は弱く、250℃までは室温時の値とほぼ同じであることがわかった。 |
| （英） | The surface recombination velocity is one of the limiting factors for the carrier lifetime, which is an important parameter for SiC bipolar devices. In this study, we focus on the temperature dependence of the surface recombination velocity, and evaluated it quantitatively by microwave photoconductivity decay measurements and numerical analysis. As a result, we found that the temperature dependence of the surface recombination velocities for 4H-SiC is weak, and thus the surface recombination velocities are almost the same values as that at room temperature to 250C. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC / キャリアライフタイム / 表面再結合 / μ-PCD / / / / |
| （英） | 4H-SiC / Carrier lifetime / Surface recombination / μ-PCD / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 63, ED2015-30, pp. 71-76, 2015年5月. | |
| 資料番号 | ED2015-30 | |
| 発行日 | 2015-05-21 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-30 CPM2015-15 SDM2015-32 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2015-30 CPM2015-15 SDM2015-32 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM SDM |
| 開催期間 | 2015-05-28 - 2015-05-29 |
| 開催地（和） | 豊橋技科大VBL棟 |
| 開催地（英） | Venture Business Laboratory, Toyohashi University of Technology |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | crystal growth、devices characterization , etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2015-05-ED-CPM-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 4H-SiC表面再結合速度の温度依存性の定量的評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Quantitative evaluation of temperature dependence of surface recombination velocities for 4H-SiC |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | キャリアライフタイム / Carrier lifetime |
| キーワード(3)（和/英） | 表面再結合 / Surface recombination |
| キーワード(4)（和/英） | μ-PCD / μ-PCD |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小濱 公洋 / Kimihiro Kohama / コハマ キミヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya institute of technology (略称： NIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 祐人 / Yuto Mori / モリ ユウト |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya institute of technology (略称： NIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 正史 / Masashi Kato / カトウ マサシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya institute of technology (略称： NIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya institute of technology (略称： NIT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-05-29 09:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2015-30, CPM2015-15, SDM2015-32 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.63(ED), no.64(CPM), no.65(SDM) |
| ページ範囲 | pp.71-76 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-05-21 (ED, CPM, SDM) |
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