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講演抄録/キーワード
講演名 2015-05-29 11:45
電気化学堆積硫化鉄薄膜の硫黄アニール処理とZnOとのヘテロ接合への応用
梶間崇宏名工大)・川井正一デンソー)・市村正也名工大ED2015-34 CPM2015-19 SDM2015-36 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-34 CPM2015-19 SDM2015-36
抄録 (和) 電気化学堆積法は水溶液中のイオンを還元させることで薄膜を堆積させる方法である。FeS2(パイライト)は豊富かつ無毒な元素で構成され、高い吸収係数を持った半導体である。本研究では、電気化学堆積法により硫化鉄薄膜を作製し、硫黄粉末を用いてアニール処理を施した。その結果、400℃でアニール時、酸素比の減少とパイライトへの結晶化を確認した。また、硫化鉄薄膜とZnO薄膜とのヘテロ接合を作製した結果、整流性は得られたが、アニールにより漏れ電流の増加と順方向電流の減少が確認された。 
(英) The electrochemical deposition (ECD) is a method to deposit thin films by reducing ions in an aqueous solution. FeS2 (pyrite) is a semiconductor which consist of abundant and nontoxic elements and has high optical absorption coefficient. In this research, iron sulfide thin films were deposited by ECD and annealed with sulfur powder. By annealing at 400℃, we confirmed decrease of oxygen ratio and crystallization of iron pyrite. Then, we fabricated heterojunction cells using iron sulfide and ZnO thin films and confirmed rectification, but the leakage current was increased and the forward current was decreased by the annealing.
キーワード (和) 電気化学堆積法 / FeS2 / パイライト / 太陽電池 / / / /  
(英) Electrochemical deposition / FeS2 / pyrite / Solar cell / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 63, ED2015-34, pp. 91-95, 2015年5月.
資料番号 ED2015-34 
発行日 2015-05-21 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ED CPM SDM  
開催期間 2015-05-28 - 2015-05-29 
開催地(和) 豊橋技科大VBL棟 
開催地(英) Venture Business Laboratory, Toyohashi University of Technology 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
テーマ(英) crystal growth、devices characterization , etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2015-05-ED-CPM-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 電気化学堆積硫化鉄薄膜の硫黄アニール処理とZnOとのヘテロ接合への応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Sulfur annealing of electrochemically deposited iron sulfide thin films and application to heterojunction cells with ZnO 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 電気化学堆積法 / Electrochemical deposition  
キーワード(2)(和/英) FeS2 / FeS2  
キーワード(3)(和/英) パイライト / pyrite  
キーワード(4)(和/英) 太陽電池 / Solar cell  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 梶間 崇宏 / Takahiro Kajima / カジマ タカヒロ
第1著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 川井 正一 / Shoichi Kawai / カワイ ショウイチ
第2著者 所属(和/英) 株式会社デンソー (略称: デンソー)
DENSO Corporation (略称: DENSO CORP.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ
第3著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
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講演者
発表日時 2015-05-29 11:45:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2015-34,IEICE-CPM2015-19,IEICE-SDM2015-36 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.63(ED), no.64(CPM), no.65(SDM) 
ページ範囲 pp.91-95 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2015-05-21,IEICE-CPM-2015-05-21,IEICE-SDM-2015-05-21 


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