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講演抄録/キーワード
講演名 2015-05-29 13:30
白金錯体を発光層に有する近赤外燐光発光有機EL素子の劣化解析
梶井博武上田達也大森 裕阪大OME2015-18 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2015-18
抄録 (和) 有機EL素子の素子寿命を改善するためには,素子の劣化機構を明らかにする必要がある.白金錯体であるPt tetraphenyltetrabenzoporphyrin (Pt(tpbp))をドープした素子とドープしていないtris(8-hydroxyquinolinato)aluminum (Alq3)系有機EL素子の特性に関して検討を行った.Pt(tpbp)をドープしていないAlq3系有機EL素子に関しては,初期輝度5,000 cd/m2で駆動した時の素子の半減寿命は,約200時間であった.一方,Pt(tpbp)をドープしたAlq3層を発光層に有する近赤外発光素子の発光強度は,200時間駆動後に80%となり,近赤外発光素子は,素子の安定性が改善された.Alq3層にドープしていない素子は,Alq3層が発光層と電子輸送層の両方の役割を果たしており,駆動後に正孔輸送層への正孔注入の悪化が確認された.一方,近赤外発光素子では,Pt(tpbp)が,Alq3層でキャリアトラップとして働き,Alq3が電子輸送層として主に働いている.白金錯体Pt(tpbp)の蛍光強度は,劣化後に約80%となっており,Pt(tpbp)分子の光学的な劣化が,素子のEL強度の減少の主要因である. 
(英) In order to improve the device lifetime of the organic light-emitting diodes (OLEDs), it is necessary to figure out the degradation mechanism. The properties of the undoped and Pt tetraphenyltetrabenzoporphyrin (Pt(tpbp)) doped tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum (Alq3)-based OLEDs are investigated. An Alq3 based OLED with an estimated lifetime of approximately 200 hours (time to reach 50 % of initial intensity) at 5,000 cd/m2 is obtained. On the other hand, at 200h, the output of a near-infrared device with Pt(tpbp) doped in Alq3 reaches 80 % of initial intensity. That is, the operating stability is improved for the device with Pt(tpbp) doped in Alq3. For devices with undoped Alq3, Alq3 layer acts as both the emissive and electron transport layers. Hole injection into hole transport layer gets worse after degradation. On the other hand, Pt(tpbp) acts as the carrier trap of Alq3 layer. Alq3 layer mainly acts as the electron transport layers. Photoluminescence (PL) intensity of Pt(tpbp) after degradation reaches approximately 80 % of the initial PL intensity. That is, the optical degradation of Pt(tpbp) molecules results in the decrease of EL intensity.
キーワード (和) 有機EL / 白金錯体 / 近赤外発光 / 劣化解析 / 燐光 / / /  
(英) Organic light-emitting diode / Pt complex / Near-infrared emission / Degradation analysis / Phosphorescence / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 68, OME2015-18, pp. 1-4, 2015年5月.
資料番号 OME2015-18 
発行日 2015-05-22 (OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OME2015-18 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2015-18

研究会情報
研究会 OME  
開催期間 2015-05-29 - 2015-05-29 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg 
テーマ(和) 有機エレクトロニクス、バイオテクノロジー、その他一般 
テーマ(英) Organic Electronics Device, Biotechnolpgy, et al. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2015-05-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 白金錯体を発光層に有する近赤外燐光発光有機EL素子の劣化解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Degradation analysis of near-infrared phosphorescence organic light-emitting diodes with platinum-complex emissive layer 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 有機EL / Organic light-emitting diode  
キーワード(2)(和/英) 白金錯体 / Pt complex  
キーワード(3)(和/英) 近赤外発光 / Near-infrared emission  
キーワード(4)(和/英) 劣化解析 / Degradation analysis  
キーワード(5)(和/英) 燐光 / Phosphorescence  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 梶井 博武 / Hirotake Kajii / カジイ ヒロタケ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 上田 達也 / Tatsuya Ueda / ウエダ タツヤ
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大森 裕 / Yutaka Ohmori / オオモリ ユタカ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2015-05-29 13:30:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 OME 
資料番号 OME2015-18 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.68 
ページ範囲 pp.1-4 
ページ数
発行日 2015-05-22 (OME) 


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