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| 講演名 | 2015-05-28 15:40 コランダム構造酸化物半導体の成長とMOSFET試作 伊藤義人・金子健太郎・○藤田静雄（京大）  ED2015-21 CPM2015-6 SDM2015-23 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2015-21 CPM2015-6 SDM2015-23 |
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| 抄録 | （和） | サファイア基板を用いたコランダム構造の酸化物半導体について、適切なバッファ層を導入しミストCVD法による成長条件を明らかにした。中でも、$alpha$-In$_2$O$_3$層はサファイア基板上の$alpha$-Ga$_2$O$_3$をバッファ層として、パワーデバイス応用につながりうる結晶性および電気的特性を示した。$alpha$-In$_2$O$_3$を用いたMOSFETは明確なピンチオフ特性を示し、ドレイン電流のオンオフ比10$^6$、および電界効果移動度および有効移動度それぞれ60および217 cm$^2$/Vsの値を示した。 このように、ミストCVDを用いて半導体-絶縁構造を形成することは、低コストのデバイス応用に対して有効であるといえる。 |
| （英） | Growth of corundum-structured oxide semiconductors has been demonstrated using appropriate buffer layers on sapphire by mist CVD. Emphasis was given for $alpha$-In$_2$O$_3$ allowing reasonable crystalline and electrical properties for power device applications with the use of an $alpha$-Ga$_2$O$_3$ buffer layer on sapphire. An $alpha$-In$_2$O$_3$MOSFET showed the clear pinch-off characteristics with the field effect mobility and effective mobility of 60 and 217 cm$^2$/Vs, respectively. together with the on-off ratio of drain current of 10$^6$. The use of mist CVD for the insulator-semiconductor structure was advantageous for low-cost devices. | |
| キーワード | （和） | 酸化ガリウム / 酸化インジウム / $alpha$型 / バッファ層 / ミストCVD / ワイドバンドギャップ半導体 / / |
| （英） | Gallium Oxide / Indium Oxide / $alpha$-Ｔype Structure / Buffer Layer / Mist CVD / Wide Band Gap Semiconductors / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 64, CPM2015-6, pp. 27-30, 2015年5月. | |
| 資料番号 | CPM2015-6 | |
| 発行日 | 2015-05-21 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-21 CPM2015-6 SDM2015-23 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2015-21 CPM2015-6 SDM2015-23 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM SDM |
| 開催期間 | 2015-05-28 - 2015-05-29 |
| 開催地（和） | 豊橋技科大VBL棟 |
| 開催地（英） | Venture Business Laboratory, Toyohashi University of Technology |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | crystal growth、devices characterization , etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2015-05-ED-CPM-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | コランダム構造酸化物半導体の成長とMOSFET試作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and preliminary MOSFETs of corundum-structured oxide semiconductors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化ガリウム / Gallium Oxide |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化インジウム / Indium Oxide |
| キーワード(3)（和/英） | $alpha$型 / $alpha$-Ｔype Structure |
| キーワード(4)（和/英） | バッファ層 / Buffer Layer |
| キーワード(5)（和/英） | ミストCVD / Mist CVD |
| キーワード(6)（和/英） | ワイドバンドギャップ半導体 / Wide Band Gap Semiconductors |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 義人 / Yoshito Ito / イトウ ヨシト |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金子 健太郎 / Kentaro Kaneko / カネコ ケンタロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤田 静雄 / Shizuo Fujita / |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
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| 講演者 | 第3著者 |
| 発表日時 | 2015-05-28 15:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2015-21, CPM2015-6, SDM2015-23 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.63(ED), no.64(CPM), no.65(SDM) |
| ページ範囲 | pp.27-30 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-05-21 (ED, CPM, SDM) |
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