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講演抄録/キーワード
講演名 2015-05-28 17:05
Al2O3絶縁膜を有するNO2吸着H終端処理ダイヤモンドFETのデバイスシミュレーション
大石敏之東 竜太郎原田和也古賀優太佐賀大)・平間一行NTT)・嘉数 誠佐賀大ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26
抄録 (和) H終端処理したダイヤモンド表面にNO2を吸着させ,Al2O3絶縁膜で保護したダイヤモンド電界効果トランジスタのデバイスシミュレーションモデルを検討した.NO2吸着層とH終端層を,Al2O3層とダイヤモンドの界面にある固定電荷で置換えるモデルを提案する.デバイスシミュレーションの結果は実測のトランジスタ特性を定性的に再現することができた.オン状態でダイヤモンド表面に2次元ホールガスが形成することをバンド図とホール濃度分布から確認した.さらにゲートに正弦波を入力した場合のドレイン応答波形を計算することができた. 
(英) This paper investigated the simulation model for NO2-exposed H-terminated diamond FETs with Al2O3 insulator gate, which have very good DC/RF characteristics and thermally stable operation. The NO2 adsorption and H terminated layer were replaced to fixed charges at the interface between the Al2O3 insulator and diamond. The simulation results agreed qualitatively with the experimental data. The formation of the two dimensional hole gas at on-state was confirmed by estimating band alignment and hole concentration profile. Moreover, drain current response was calculated for sinusoidal input of the gate electrode.
キーワード (和) ダイヤモンド / 電界効果トランジスタ / デバイスシミュレーション / NO2 吸着 / Al2O3絶縁膜 / / /  
(英) Diamond / Field effect transistor / NO2 insulator gate / Device simulation / Al2O3 insulator / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 63, ED2015-24, pp. 41-44, 2015年5月.
資料番号 ED2015-24 
発行日 2015-05-21 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26

研究会情報
研究会 ED CPM SDM  
開催期間 2015-05-28 - 2015-05-29 
開催地(和) 豊橋技科大VBL棟 
開催地(英) Venture Business Laboratory, Toyohashi University of Technology 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
テーマ(英) crystal growth、devices characterization , etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2015-05-ED-CPM-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Al2O3絶縁膜を有するNO2吸着H終端処理ダイヤモンドFETのデバイスシミュレーション 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Device simulation of NO2-exposed H-terminated diamond FETs with Al2O3 insulator 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ダイヤモンド / Diamond  
キーワード(2)(和/英) 電界効果トランジスタ / Field effect transistor  
キーワード(3)(和/英) デバイスシミュレーション / NO2 insulator gate  
キーワード(4)(和/英) NO2 吸着 / Device simulation  
キーワード(5)(和/英) Al2O3絶縁膜 / Al2O3 insulator  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 大石 敏之 / Toshiyuki Oishi / オオイシ トシユキ
第1著者 所属(和/英) 佐賀大学 (略称: 佐賀大)
Saga University (略称: Saga Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 東 竜太郎 / Ryutaro Higashi / ヒガシ リュウタロウ
第2著者 所属(和/英) 佐賀大学 (略称: 佐賀大)
Saga University (略称: Saga Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 原田 和也 / Kazuya Harada / ハラ カズヤ
第3著者 所属(和/英) 佐賀大学 (略称: 佐賀大)
Saga University (略称: Saga Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 古賀 優太 / Yuta Koga / コガ ユウタ
第4著者 所属(和/英) 佐賀大学 (略称: 佐賀大)
Saga University (略称: Saga Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 平間 一行 / Kazuyuki Hirama / ヒラマ カズユキ
第5著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称: NTT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 嘉数 誠 / Makoto Kasu / カスウ マコト
第6著者 所属(和/英) 佐賀大学 (略称: 佐賀大)
Saga University (略称: Saga Univ.)
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講演者
発表日時 2015-05-28 17:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2015-24,IEICE-CPM2015-9,IEICE-SDM2015-26 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.63(ED), no.64(CPM), no.65(SDM) 
ページ範囲 pp.41-44 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2015-05-21,IEICE-CPM-2015-05-21,IEICE-SDM-2015-05-21 


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