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講演抄録/キーワード
講演名 2015-05-28 13:50
SiC基板表面における浸漬法による自己組織化膜形成
鈴木悠矢広瀬雄治玉置祥平宮川鈴衣奈木下隆利江龍 修名工大ED2015-18 CPM2015-3 SDM2015-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-18 CPM2015-3 SDM2015-20
抄録 (和) 高品質なGaNの結晶成長を実現するため、ペプチド素子の自己組織化を用いたSiC微細加工法を提案する。ペプチド素子のもつ電荷と、SiC基板のSiとCの電気陰性度の違いを利用した自己組織化により、ペプチド素子を数nmレベルで配列させる。ペプチド素子を吸着させたSiC基板にイオン注入で選択的に欠陥を導入し、欠陥領域をエッチングすることでナノ構造をSiC基板に転写することに成功した。本研究では、ペプチド配列のために浸漬法を用い、その際の浸漬日数を変化させることで得られるペプチド膜の形状が変化した。 
(英) (Available after conference date)
キーワード (和) SiC / ペプチド / 表面加工 / イオン注入 / エッチング / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 63, ED2015-18, pp. 11-15, 2015年5月.
資料番号 ED2015-18 
発行日 2015-05-21 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード ED2015-18 CPM2015-3 SDM2015-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-18 CPM2015-3 SDM2015-20

研究会情報
研究会 ED CPM SDM  
開催期間 2015-05-28 - 2015-05-29 
開催地(和) 豊橋技科大VBL棟 
開催地(英) Venture Business Laboratory, Toyohashi University of Technology 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
テーマ(英) crystal growth、devices characterization , etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2015-05-ED-CPM-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SiC基板表面における浸漬法による自己組織化膜形成 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Study on self-assembled monolayers by the immersion method on SiC substrate 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SiC /  
キーワード(2)(和/英) ペプチド /  
キーワード(3)(和/英) 表面加工 /  
キーワード(4)(和/英) イオン注入 /  
キーワード(5)(和/英) エッチング /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 悠矢 / Yuya Suzuki / スズキ ユウヤ
第1著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NiTech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 広瀬 雄治 / Yuji Hirose / ヒロセ ユウジ
第2著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NiTech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 玉置 祥平 / Shohei Tamaoki / タマオキ ショウヘイ
第3著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NiTech)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮川 鈴衣奈 / Reina Miyagawa / ミヤガワ レイナ
第4著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NiTech)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 木下 隆利 / Takatoshi Kinoshita / キノシタ タカトシ
第5著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NiTech)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 江龍 修 / Osamu Eryu / エリュウ オサム
第6著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NiTech)
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講演者
発表日時 2015-05-28 13:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2015-18,IEICE-CPM2015-3,IEICE-SDM2015-20 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.63(ED), no.64(CPM), no.65(SDM) 
ページ範囲 pp.11-15 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2015-05-21,IEICE-CPM-2015-05-21,IEICE-SDM-2015-05-21 


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