講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-05-28 16:05
高移動度β-Ga2O3(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製 ○古賀優太・原田和也・花田賢志・大石敏之・嘉数 誠(佐賀大) ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24 |
抄録 |
(和) |
高電子移動度を有するEFG法で成長したβ―Ga2O3(2 ̅01)面方位の単結晶を用いた高性能ショットキーバリアダイオード(SBD)を作製した.用いた単結晶試料は300Kで153 cm2/V/s,85Kで886 cm2/V/sの高電子移動度を示した.実験結果を解析した結果,電子移動度は200K以上では光学フォノン散乱に制限され,100 K以下ではイオン化不純物散乱に制限されていることがわかった.Niショットキー電極を用い,SBDを作製し,順方向電流密度は2.0 Vで70.3 A/cm2,理想因子は1.01の良好な素子特性を示した. |
(英) |
High Hall electron mobility and its high performances of Schottky barrier diodes on edge-defined film-fed grown (2 ̅01) -Ga2O3 single crystals have been demonstrated. High electron mobility of 886 cm2/V/s at 85 K, and 153 cm2/V/s at 300 K. Temperature dependence of electron mobility was fitted by theoretical values for specific scattering mechanisms, and we found that the electron mobility for > 200K is limited by optical phonon scattering and for < 100 K by ionized impurity scattering. On the high-purity crystal, we have fabricated Schottky barrier diodes with Ni Schottky contacts. The current density of forward voltage of 70.3 A/cm2 at 2.0V was obtained and a Schottky barrier height of 1.25 eV and nearly idea ideality factor of 1.01 were extracted. |
キーワード |
(和) |
酸化ガリウム / ショットキーバリアダイオード / 電子移動度 / / / / / |
(英) |
Gallium oxide / Schottky barrier diode / electron mobility / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 63, ED2015-22, pp. 31-34, 2015年5月. |
資料番号 |
ED2015-22 |
発行日 |
2015-05-21 (ED, CPM, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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