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講演抄録/キーワード
講演名 2015-05-28 16:05
高移動度β-Ga2O3(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製
古賀優太原田和也花田賢志大石敏之嘉数 誠佐賀大ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24
抄録 (和) 高電子移動度を有するEFG法で成長したβ―Ga2O3(2 ̅01)面方位の単結晶を用いた高性能ショットキーバリアダイオード(SBD)を作製した.用いた単結晶試料は300Kで153 cm2/V/s,85Kで886 cm2/V/sの高電子移動度を示した.実験結果を解析した結果,電子移動度は200K以上では光学フォノン散乱に制限され,100 K以下ではイオン化不純物散乱に制限されていることがわかった.Niショットキー電極を用い,SBDを作製し,順方向電流密度は2.0 Vで70.3 A/cm2,理想因子は1.01の良好な素子特性を示した. 
(英) High Hall electron mobility and its high performances of Schottky barrier diodes on edge-defined film-fed grown (2 &#773;01) &#61538;-Ga2O3 single crystals have been demonstrated. High electron mobility of 886 cm2/V/s at 85 K, and 153 cm2/V/s at 300 K. Temperature dependence of electron mobility was fitted by theoretical values for specific scattering mechanisms, and we found that the electron mobility for > 200K is limited by optical phonon scattering and for < 100 K by ionized impurity scattering. On the high-purity crystal, we have fabricated Schottky barrier diodes with Ni Schottky contacts. The current density of forward voltage of 70.3 A/cm2 at 2.0V was obtained and a Schottky barrier height of 1.25 eV and nearly idea ideality factor of 1.01 were extracted.
キーワード (和) 酸化ガリウム / ショットキーバリアダイオード / 電子移動度 / / / / /  
(英) Gallium oxide / Schottky barrier diode / electron mobility / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 63, ED2015-22, pp. 31-34, 2015年5月.
資料番号 ED2015-22 
発行日 2015-05-21 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24

研究会情報
研究会 ED CPM SDM  
開催期間 2015-05-28 - 2015-05-29 
開催地(和) 豊橋技科大VBL棟 
開催地(英) Venture Business Laboratory, Toyohashi University of Technology 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
テーマ(英) crystal growth、devices characterization , etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2015-05-ED-CPM-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高移動度β-Ga2O3(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Schottky barrier diodes of high mobility β-Ga2O3 (-201) single crystals grown by edge-defined-fed growth method 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 酸化ガリウム / Gallium oxide  
キーワード(2)(和/英) ショットキーバリアダイオード / Schottky barrier diode  
キーワード(3)(和/英) 電子移動度 / electron mobility  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 古賀 優太 / Yuta Koga / コガ ユウタ
第1著者 所属(和/英) 佐賀大学 (略称: 佐賀大)
Saga University (略称: Saga Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 原田 和也 / Kazuya Harada / ハラダ カズヤ
第2著者 所属(和/英) 佐賀大学 (略称: 佐賀大)
Saga University (略称: Saga Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 花田 賢志 / Kenji Hanada / ハナダ ケンジ
第3著者 所属(和/英) 佐賀大学 (略称: 佐賀大)
Saga University (略称: Saga Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 大石 敏之 / Toshiyuki Oishi / オオイシ トシユキ
第4著者 所属(和/英) 佐賀大学 (略称: 佐賀大)
Saga University (略称: Saga Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 嘉数 誠 / Makoto Kasu / カスウ マコト
第5著者 所属(和/英) 佐賀大学 (略称: 佐賀大)
Saga University (略称: Saga Univ.)
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講演者
発表日時 2015-05-28 16:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2015-22,IEICE-CPM2015-7,IEICE-SDM2015-24 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.63(ED), no.64(CPM), no.65(SDM) 
ページ範囲 pp.31-34 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2015-05-21,IEICE-CPM-2015-05-21,IEICE-SDM-2015-05-21 


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