講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-05-28 14:15
分子線エピタキシー法により成長したInGaNナノプレートの光学特性 ○光野徹也(静岡大)・酒井 優(山梨大)・岸野克巳(上智大)・原 和彦(静岡大) ED2015-19 CPM2015-4 SDM2015-21 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-19 CPM2015-4 SDM2015-21 |
抄録 |
(和) |
直径50-200 nm、高さ1500 nmのGaNナノ支柱状結晶上に直径が200-800 nm程度で厚さが50 nmの極薄の六角形状InGaNナノプレートが成長した傘状のナノ結晶を分子線エピタキシー法により実現した。低温フォトルミネッセンスによりInGaNナノプレートを評価したところ、ウィスパリングギャラリーモード(WGM)による微小共振と考えられる複数の共振ピークを波長360-500の広い波長域に確認した。 |
(英) |
We fabricated InGaN nanoplates on top of GaN nanocolumns by radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy. The diameter and thickness of InGaN nanoplates were approximately 200-800 nm and 50 nm, respectively. The diameter and height of GaN nanocolumns were approximately 50-100 nm and 1500 nm, respectively. Under a low-temperature photoluminescence measurement, these nanocrystals exhibited resonant peaks in the wide-range of wavelength of approximately 360-700 nm, which was considered to be caused by the whispering gallery mode. |
キーワード |
(和) |
InGaN / ナノ結晶 / ウィスパリングギャラリーモード / / / / / |
(英) |
InGaN / nanocrystals / Whispering gallery mode / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 64, CPM2015-4, pp. 17-19, 2015年5月. |
資料番号 |
CPM2015-4 |
発行日 |
2015-05-21 (ED, CPM, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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PDFダウンロード |
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