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講演抄録/キーワード
講演名 2015-04-30 10:40
フレキシブルエレクトロニクスへ向けた非晶質GeSn/絶縁膜の横方向固相成長
松村 亮九大/学振)・知北大典甲斐友樹佐々木雅也佐道泰造池上 浩宮尾正信九大SDM2015-10 OME2015-10 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-10 OME2015-10
抄録 (和) 次世代フレキシブルエレクトロニクス実現のため、高移動度材料であるGeSnを、安価なプラスチック基板の軟化温度である200oC以下で固相成長させることに成功した。講演ではレーザーアニールを用いた独自の種付け法により結晶の位置決めはもとより、活性化エネルギーの低下や成長促進について詳細に議論する。 
(英) In order to realize next generation flexible electronics, high carrier mobility materials, such as GeSn, has to be crystallized below softening temperature of reasonable flexible plastic substrates (softening temperature: ~200oC). By combining laser annealing, we have realized solid-phase crystallization of a-GeSn below 200oC on insulating substrates. This technique will be useful to realize next generation flexible electronics.
キーワード (和) GeSn / 固相成長法 / レーザーアニール / / / / /  
(英) GeSn / solid-phase crystallization / laser annealing / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 18, SDM2015-10, pp. 39-40, 2015年4月.
資料番号 SDM2015-10 
発行日 2015-04-22 (SDM, OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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研究会情報
研究会 OME SDM  
開催期間 2015-04-29 - 2015-04-30 
開催地(和) 大濱信泉記念館多目的ホール 
開催地(英) Oh-hama Nobumoto Memorial Hall 
テーマ(和) 薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術、バイオテクノロジー、および一般 
テーマ(英) Thin FIlms, Functional Electronics Devices, New Functional Materials and Evaluation, BIomtechnology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2015-04-OME-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) フレキシブルエレクトロニクスへ向けた非晶質GeSn/絶縁膜の横方向固相成長 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Lateral solid-phase crystallization of a-GeSn on insulator for next generation flexible electronics 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GeSn / GeSn  
キーワード(2)(和/英) 固相成長法 / solid-phase crystallization  
キーワード(3)(和/英) レーザーアニール / laser annealing  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 松村 亮 / Ryo Matsumura / マツムラ リョウ
第1著者 所属(和/英) 九州大学/学振特別研究員 (略称: 九大/学振)
Kyushu University/ JSPS Research Fellow (略称: Kyushu Univ./ JSPS)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 知北 大典 / Hironori Chikita / チキタ ヒロノリ
第2著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 甲斐 友樹 / Yuki Kai / カイ ユウキ
第3著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐々木 雅也 / Masaya Sasaki / ササキ マサヤ
第4著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐道 泰造 / Taizoh Sadoh / サドウ タイゾウ
第5著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 池上 浩 / Hiroshi Ikenoue / イケノウエ ヒロシ
第6著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮尾 正信 / Masanobu Miyao / ミヤオ マサノブ
第7著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
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講演者
発表日時 2015-04-30 10:40:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2015-10,IEICE-OME2015-10 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.18(SDM), no.19(OME) 
ページ範囲 pp.39-40 
ページ数 IEICE-2 
発行日 IEICE-SDM-2015-04-22,IEICE-OME-2015-04-22 


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