講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-04-30 10:40
フレキシブルエレクトロニクスへ向けた非晶質GeSn/絶縁膜の横方向固相成長 ○松村 亮(九大/学振)・知北大典・甲斐友樹・佐々木雅也・佐道泰造・池上 浩・宮尾正信(九大) SDM2015-10 OME2015-10 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-10 OME2015-10 |
抄録 |
(和) |
次世代フレキシブルエレクトロニクス実現のため、高移動度材料であるGeSnを、安価なプラスチック基板の軟化温度である200oC以下で固相成長させることに成功した。講演ではレーザーアニールを用いた独自の種付け法により結晶の位置決めはもとより、活性化エネルギーの低下や成長促進について詳細に議論する。 |
(英) |
In order to realize next generation flexible electronics, high carrier mobility materials, such as GeSn, has to be crystallized below softening temperature of reasonable flexible plastic substrates (softening temperature: ~200oC). By combining laser annealing, we have realized solid-phase crystallization of a-GeSn below 200oC on insulating substrates. This technique will be useful to realize next generation flexible electronics. |
キーワード |
(和) |
GeSn / 固相成長法 / レーザーアニール / / / / / |
(英) |
GeSn / solid-phase crystallization / laser annealing / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 18, SDM2015-10, pp. 39-40, 2015年4月. |
資料番号 |
SDM2015-10 |
発行日 |
2015-04-22 (SDM, OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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