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講演抄録/キーワード
講演名 2015-04-30 13:25
青色半導体レーザアニール中Si膜の温度分布解析
岡田竜弥神村盛太野口 隆琉球大SDM2015-14 OME2015-14 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-14 OME2015-14
抄録 (和) これまでに我々は、青色半導体レーザアニール法(BLDA)を用いることで20-500 nm 厚のa-Si 膜が結晶化可能であり、平坦な結晶化Si 膜が得られることを明らかにしている。本研究では、結晶化メカニズムの解明をめざし、レーザ照射中の温度分布を解析した。解析の結果、レーザを500 mm/sで走査するとき、照射開始から20 µs 程度で温度変化がほぼ定常状態となり、膜表面と膜下面の温度変化を比較すると、50 nm厚のSi膜では温度差約30 K と膜厚方向の温度勾配はほとんどないことが分かった。膜内で均一な加熱昇温が実現でき、安定な結晶化が期待できる。 
(英) We have reported that Blue Multi-Laser Diode Annealing (BLDA) is effective to crystallize Si films for next generation System on Panel. In this work, we performed numerical analysis of temperature distribution during BLDA. For the calculation, blue laser beam was focused on a-Si films with thickness between 50 nm to 1 µm, and the laser beam was scanned with a speed of 500 mm/s. Around 20 µs after starting laser scanning, the annealing profile reached steady state. Temperature difference between surface and bottom-surface of film was only ~30 K for 50 nm thick Si. The result indicates that nucleation occurs uniformly in the film due to the small gradient in depth direction, thus, small grains can be obtained uniformly.
キーワード (和) 青色半導体レーザ / 結晶化 / 温度解析 / / / / /  
(英) Blue Multi-Laser Diode Annealing / Crystallization / Temperature Analysis / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 18, SDM2015-14, pp. 53-55, 2015年4月.
資料番号 SDM2015-14 
発行日 2015-04-22 (SDM, OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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研究会情報
研究会 OME SDM  
開催期間 2015-04-29 - 2015-04-30 
開催地(和) 大濱信泉記念館多目的ホール 
開催地(英) Oh-hama Nobumoto Memorial Hall 
テーマ(和) 薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術、バイオテクノロジー、および一般 
テーマ(英) Thin FIlms, Functional Electronics Devices, New Functional Materials and Evaluation, BIomtechnology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2015-04-OME-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 青色半導体レーザアニール中Si膜の温度分布解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Temperature Analysis of Si Films during Blue Multi-Laser Diode Annealing 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 青色半導体レーザ / Blue Multi-Laser Diode Annealing  
キーワード(2)(和/英) 結晶化 / Crystallization  
キーワード(3)(和/英) 温度解析 / Temperature Analysis  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡田 竜弥 / Tatsuya Okada / オカダ タツヤ
第1著者 所属(和/英) 琉球大学 (略称: 琉球大)
University of the Ryukyus (略称: Univ. Ryukyus)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 神村 盛太 / Seita Kamimura / カミムラ セイタ
第2著者 所属(和/英) 琉球大学 (略称: 琉球大)
University of the Ryukyus (略称: Univ. Ryukyus)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 野口 隆 / Takashi Noguchi / ノグチ タカシ
第3著者 所属(和/英) 琉球大学 (略称: 琉球大)
University of the Ryukyus (略称: Univ. Ryukyus)
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講演者
発表日時 2015-04-30 13:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2015-14,IEICE-OME2015-14 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.18(SDM), no.19(OME) 
ページ範囲 pp.53-55 
ページ数 IEICE-3 
発行日 IEICE-SDM-2015-04-22,IEICE-OME-2015-04-22 


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