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講演抄録/キーワード
講演名 2015-04-30 10:00
[招待講演]高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 ~ 直接遷移構造化を目指して ~
黒澤昌志竹内和歌奈坂下満男中塚 理財満鎭明名大SDM2015-9 OME2015-9 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-9 OME2015-9
抄録 (和) 光通信帯域(波長: 1.5 $mu$m)に合致する光学材料として,我々はシリコンスズ(SiSn)半導体に着目している.格子置換位置にSnを30%--60%程度取り込んだSiSnは、直接遷移型半導体になることが理論予測されている.しかし,Siに対するSnの熱平衡固溶限は0.1%以下と非常に小さく、これまで実現の目途は立っていなかった.最近我々は,非晶質SiにSnを30%導入することで,(1) Sn融点(231.9℃)以下での非晶質SiSnの結晶化,すなわち,非晶質SiSnの固相成長が進行すること,その結果として,(2) 高Sn組成(20%--30%)の多結晶および単結晶SiSnを絶縁膜およびGe基板上にそれぞれ形成できることを見出した.本報では,絶縁膜上におけるSiSnの結晶成長技術および形成したSiSn薄膜のバンド構造について紹介する. 
(英) This paper reports our recent progress in advanced Sn-assisted low-temperature crystallization methods for Si$_{1-x}$Sn$_{x}$ alloys ($x: 0-0.3$) on insulators and Ge substrates. Micro-probe Raman spectra and Auger electron spectroscopy depth profiles reveal the presence of the substitutional Sn content as high as 22% in the polycrystalline- and epitaxial-Si$_{1-x}$Sn$_{x}$ layers after annealing at 220℃ for 5 hrs. In addition, the band gap shrinkage due to the Sn incorporation has been demonstrated by Fourier transform infrared spectroscopy measurements.
キーワード (和) IV族半導体 / シリコンスズ(SiSn) / 固相成長法 / / / / /  
(英) group-IV semiconductor / silicon tin (SiSn) / solid phase crystallization / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 18, SDM2015-9, pp. 35-37, 2015年4月.
資料番号 SDM2015-9 
発行日 2015-04-22 (SDM, OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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研究会情報
研究会 OME SDM  
開催期間 2015-04-29 - 2015-04-30 
開催地(和) 大濱信泉記念館多目的ホール 
開催地(英) Oh-hama Nobumoto Memorial Hall 
テーマ(和) 薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術、バイオテクノロジー、および一般 
テーマ(英) Thin FIlms, Functional Electronics Devices, New Functional Materials and Evaluation, BIomtechnology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2015-04-OME-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 
サブタイトル(和) 直接遷移構造化を目指して 
タイトル(英) Formation of high Sn content SiSn films and its band structure 
サブタイトル(英) Aiming for direct-band-gap semiconductor 
キーワード(1)(和/英) IV族半導体 / group-IV semiconductor  
キーワード(2)(和/英) シリコンスズ(SiSn) / silicon tin (SiSn)  
キーワード(3)(和/英) 固相成長法 / solid phase crystallization  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒澤 昌志 / Masashi Kurosawa / クロサワ マサシ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 和歌奈 / Wakana Takeuchi / タケウチ ワカナ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ
第5著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者
発表日時 2015-04-30 10:00:00 
発表時間 40 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2015-9,IEICE-OME2015-9 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.18(SDM), no.19(OME) 
ページ範囲 pp.35-37 
ページ数 IEICE-3 
発行日 IEICE-SDM-2015-04-22,IEICE-OME-2015-04-22 


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