電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2015-04-30 13:00
大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射アモルファスシリコン細線による結晶成長制御およびCMOS回路の高速駆動
森崎誠司林 将平山本将悟中谷太一東 清一郎広島大SDM2015-13 OME2015-13 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-13 OME2015-13
抄録 (和) 1µmのアモルファスシリコン細線構造を用いることにより大気圧マイクロ熱プラズマジェット(µ-TPJ)の高速横方向結晶化(HSLC)によるチャネル領域のランダム粒界を抑制した。チャネル長(L)1 µmの短チャネルで形成した薄膜トランジスタ(TFT)においても細線構造が有効であり、細線構造を用いない場合に比べてTFTの特性ばらつきをおよそ1/3 以下に抑制し、NMOSで電界効果移動度は503 ± 63 cm2V-1s-1、しきい値電圧は1.7 ± 0.06 V、Sファクターは 196 ± 15 mV/dec.を達成した。さらに細線構造を用いた9段のリング発振器は電源電圧5Vで107.5 MHzで発振し、CMOS回路の高速駆動を実証した。 
(英) The formation or random grain boundaries was successfully suppressed using grain growth control of high-speed lateral crystallization (HSLC) by micro-thermal-plasma-jet (µ-TPJ) irradiation on1 µm-wide amorphous silicon strips. This strip pattern is quite effective to improve the characteristics of thin film transistors (TFTs). The characteristic variability of TFTs with strip pattern was suppressed to 1/3 compared with conventional pattern. NMOS TFTs achieved field effect mobility of 503 ± 63 cm2V-1s-1, threshold voltage of 1.7 ± 0.06 V and S-factor of 196 ± 15 mV/dec.、152 ± 17 mV/dec. High-speed operation of CMOS circuit was demonstrated . 9-stage ring oscillator with strip pattern was oscillated by 107.5 MHz at supply voltage of 5 V.
キーワード (和) 熱プラズマジェット / 薄膜トランジスタ / CMOS / / / / /  
(英) Thermal Plasma Jet / Thin Film Transistor / CMOS / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 18, SDM2015-13, pp. 49-52, 2015年4月.
資料番号 SDM2015-13 
発行日 2015-04-22 (SDM, OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2015-13 OME2015-13 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-13 OME2015-13

研究会情報
研究会 OME SDM  
開催期間 2015-04-29 - 2015-04-30 
開催地(和) 大濱信泉記念館多目的ホール 
開催地(英) Oh-hama Nobumoto Memorial Hall 
テーマ(和) 薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術、バイオテクノロジー、および一般 
テーマ(英) Thin FIlms, Functional Electronics Devices, New Functional Materials and Evaluation, BIomtechnology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2015-04-OME-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射アモルファスシリコン細線による結晶成長制御およびCMOS回路の高速駆動 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Grain Growth Control by Atmospheric Pressure Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation on Amorphous Silicon Strips and High-Speed Operation of CMOS Circuit 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 熱プラズマジェット / Thermal Plasma Jet  
キーワード(2)(和/英) 薄膜トランジスタ / Thin Film Transistor  
キーワード(3)(和/英) CMOS / CMOS  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 森崎 誠司 / Seiji Morisaki / モリサキ セイジ
第1著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 林 将平 / Shohei Hayashi / ハヤシ ショウヘイ
第2著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 将悟 / Shogo Yamamoto / ヤマモト ショウゴ
第3著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中谷 太一 / Taichi Nakatani / ナカタニ タイチ
第4著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 東 清一郎 / Seiichiro Higashi / ヒガシ セイイチロウ
第5著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2015-04-30 13:00:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2015-13,IEICE-OME2015-13 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.18(SDM), no.19(OME) 
ページ範囲 pp.49-52 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2015-04-22,IEICE-OME-2015-04-22 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会