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講演抄録/キーワード
講演名 2015-04-29 17:05
フッ素による酸化物In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの欠陥終端効果と信頼性に及ぼす影響
古田 守ジャン ジンシン辰岡玄悟王 大鵬高知工科大SDM2015-8 OME2015-8 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-8 OME2015-8
抄録 (和) 本研究では酸化物In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)におけるフッ素による欠陥終端効果とその信頼性影響に関して検討した。パッシベーション膜としてフッ素を含有する窒化シリコンを用い、ポストアニールによりフッ素をIGZO中に拡散させることでTFTの特性、特にバイアスストレス信頼性が劇的に改善されることを見いだした。フッ素によるIGZO TFTの欠陥補償は酸化物TFTの高性能・高信頼性化に重要な役割を果たすことが期待される。 
(英) Effets of fluorine in In-Ga-Zn-O on defect passivation and reliability improvement of thin-film transistor have been investigated. Fluorine contained silicon nitride (SiNx:F) was used as a passivation layer of the IGZO TFT. We found that reliability of the IGZO TFT dramatically improved when fluorine diffused into an IGZO channel through post-fabrication annealing. The fluorine-passivated IGZO TFT has enhanced operation temperature, and is advantageous for achieving highly reliable oxide TFTs for next-generation displays.
キーワード (和) In-Ga-Zn-O (IGZO) / 薄膜トランジスタ / フッ素 / 欠陥補償 / 信頼性 / / /  
(英) In-Ga-Zn-O (IGZO) / thin-film transistor (TFT) / fluorine / defect passivation / reliability / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 18, SDM2015-8, pp. 31-34, 2015年4月.
資料番号 SDM2015-8 
発行日 2015-04-22 (SDM, OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2015-8 OME2015-8 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-8 OME2015-8

研究会情報
研究会 OME SDM  
開催期間 2015-04-29 - 2015-04-30 
開催地(和) 大濱信泉記念館多目的ホール 
開催地(英) Oh-hama Nobumoto Memorial Hall 
テーマ(和) 薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術、バイオテクノロジー、および一般 
テーマ(英) Thin FIlms, Functional Electronics Devices, New Functional Materials and Evaluation, BIomtechnology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2015-04-OME-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) フッ素による酸化物In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの欠陥終端効果と信頼性に及ぼす影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effect of fluorine in In-Ga-Zn-O on defect passivartion and reliability of thin-film transistors 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) In-Ga-Zn-O (IGZO) / In-Ga-Zn-O (IGZO)  
キーワード(2)(和/英) 薄膜トランジスタ / thin-film transistor (TFT)  
キーワード(3)(和/英) フッ素 / fluorine  
キーワード(4)(和/英) 欠陥補償 / defect passivation  
キーワード(5)(和/英) 信頼性 / reliability  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 古田 守 / Mamoru Furuta / フルタ マモル
第1著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: Kochi Univ. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) ジャン ジンシン / Jingxin Jiang / ジャン ジンシン
第2著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: Kochi Univ. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 辰岡 玄悟 / Gengo Tatsuoka / タツオカ ゲンゴ
第3著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: Kochi Univ. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 王 大鵬 / Dapeng Wang / ワン ダーパン
第4著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: Kochi Univ. of Tech.)
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講演者
発表日時 2015-04-29 17:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2015-8,IEICE-OME2015-8 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.18(SDM), no.19(OME) 
ページ範囲 pp.31-34 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2015-04-22,IEICE-OME-2015-04-22 


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