講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-04-17 09:55
加湿酸素プラズマガスを用いた酸化ハフニウム膜の室温原子層堆積の反応機構 ○鹿又健作・大場尚志・パンシラ ポープンブン・有馬 ボシール アハンマド・久保田 繁・平原和弘・廣瀬文彦(山形大) ED2015-11 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-11 |
抄録 |
(和) |
我々はtetrakis(ethylmethylamino)hafnium(TEMAH)とプラズマ励起された酸素含有水蒸気を用いた酸化ハフニウム膜の室温原子層堆積法を開発した。加湿酸素プラズマガスは酸化ハフニウム表面に吸着したTEMAHを効果的に酸化すると同時にTEMAHの吸着サイトとなるOH基を室温で成長表面上に形成する。本方法では、酸化ハフニウム膜の成長速度は室温において0.26 nm/cycleと測定された。また、酸化ハフニウム膜の室温原子層堆積における反応素過程を多重内部反射赤外吸収分光法(MIR-IRAS)によって評価した結果を前回の研究会で報告した。本研究ではMIR-IRASの観察から得られたTEMAHの飽和吸着特性をラングミュアー型吸着モデル、多数サイト吸着モデルによるフィッティングを行い、吸着サイト数を推定し、反応モデルを構築したので報告する。 |
(英) |
Room-temperature atomic layer deposition (ALD) of hafnium dioxide is developed using tetrakis(ethylmethylamino)hafnium (TEMAH) and plasma-excited water and oxygen vapor generated from a remote plasma source. The plasma-excited water and oxygen vapor is effective in oxidizing the TEMAH-adsorbed HfO2 surface while leaving OH sites on the growing surface at room temperature for further TEMAH adsorption. The growth rate is measured to be 0.26 nm/cycle at room temperature. The TEMAH adsorption and its oxidation on HfO2 were investigated by multiple-internal-refraction infrared absorption spectroscopy (MIR-IRAS). In thin work, we constructed a reaction model of the RT HfO2 ALD by MIR-IRAS and adsorption site fitting. |
キーワード |
(和) |
原子層堆積 / HfO2 / 加湿酸素プラズマガス / 赤外吸収分光法 / プラズマ分光 / / / |
(英) |
ALD / TEMAH / Plasma-excited H2O and O2 / MIR-IRAS / Plasma optical spectroscopy / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 5, ED2015-11, pp. 53-58, 2015年4月. |
資料番号 |
ED2015-11 |
発行日 |
2015-04-09 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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