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講演抄録/キーワード
講演名 2015-04-17 10:00
[招待講演]Ge欠損系超格子を用いたTopological switching random access memory (TRAM)
高浦則克超低電圧デバイス技研組合エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2015-8
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文献情報 信学技報, vol. 115, no. 6, ICD2015-8, pp. 33-37, 2015年4月.
資料番号 ICD2015-8 
発行日 2015-04-09 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2015-04-16 - 2015-04-17 
開催地(和) 信州大学 
開催地(英)  
テーマ(和) メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2015-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Ge欠損系超格子を用いたTopological switching random access memory (TRAM) 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) GexTe1-x/Sb2Te3 Topological switching random access memory (TRAM) 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 高浦 則克 / Norikatsu Takaura /
第1著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association and Project (略称: LEAP)
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講演者
発表日時 2015-04-17 10:00:00 
発表時間 50 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2015-8 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.6 
ページ範囲 pp.33-37 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ICD-2015-04-09 


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