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講演抄録/キーワード
講演名 2015-04-17 10:50
[招待講演]Vt キャンセル書込方法を用いた結晶性In-Ga-Zn Oxide FETによる128kb 4bit/cell 不揮発性メモリ
松嵜隆徳大貫達也長塚修平井上広樹石津貴彦家田義紀坂倉真之熱海知昭塩野入 豊加藤 清奥田 高山元良高半導体エネルギー研)・藤田昌宏東大)・小山 潤山崎舜平半導体エネルギー研エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2015-9
抄録 (和) c軸配向した結晶性In-Ga-Zn oxide (CAAC-IGZO) FETを用いたnonvolatile oxide semiconductor RAM(NOSRAM)で、128kbit 4bit/cellメモリを実現した。データは、Vt キャンセル書込方法を用いて書き込む。32768個のメモリセルで、読出電圧の分布幅3σ = 47mVが得られた。これにより、16個の分布は、重なることなく分離できた。CAAC-IGZO FETを用いたオフセット補正コンパレータを持つ4bit A/Dコンバータで、出力フェーズ持続時間が10秒であり、遷移点電圧変動は、4mVである。 
(英) A 128kbit 4bit/cell memory is achieved by a nonvolatile oxide semiconductor RAM test chip with a c-axis aligned crystalline In-Ga-Zn oxide (CAAC-IGZO) FET. Data are written by a Vt cancel write method. In a 32768-cell memory, the 3σ distribution width of the read voltage is 47mV, and 16 nonoverlapping distributions are obtained. In a 4bit A/D whose offset-compensating voltage is controlled by a CAAC-IGZO FET, the output phase duration is 10s and the transition point voltage varies by 4mV.
キーワード (和) 結晶性酸化物半導体 / CAAC-IGZO / CMOS / 4bit/cell / In-Ga-Zn oxide / 不揮発性 / RAM / FET  
(英) Crystalline Oxide Semiconductor / CAAC-IGZO / CMOS / 4bit/cell / In-Ga-Zn oxide / nonvolatile / RAM / FET  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 6, ICD2015-9, pp. 39-44, 2015年4月.
資料番号 ICD2015-9 
発行日 2015-04-09 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2015-04-16 - 2015-04-17 
開催地(和) 信州大学 
開催地(英)  
テーマ(和) メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2015-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Vt キャンセル書込方法を用いた結晶性In-Ga-Zn Oxide FETによる128kb 4bit/cell 不揮発性メモリ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 128kb 4bit/cell Nonvolatile Memory with Crystalline In-Ga-Zn Oxide FET Using Vt Cancel Write Method 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 結晶性酸化物半導体 / Crystalline Oxide Semiconductor  
キーワード(2)(和/英) CAAC-IGZO / CAAC-IGZO  
キーワード(3)(和/英) CMOS / CMOS  
キーワード(4)(和/英) 4bit/cell / 4bit/cell  
キーワード(5)(和/英) In-Ga-Zn oxide / In-Ga-Zn oxide  
キーワード(6)(和/英) 不揮発性 / nonvolatile  
キーワード(7)(和/英) RAM / RAM  
キーワード(8)(和/英) FET / FET  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 松嵜 隆徳 / Takanori Matsuzaki / マツザキ タカノリ
第1著者 所属(和/英) 株式会社半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称: SEL)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大貫 達也 / Tatsuya Onuki / オオヌキ タツヤ
第2著者 所属(和/英) 株式会社半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称: SEL)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 長塚 修平 / Shuhei Nagatsuka / ナガツカ シュウヘイ
第3著者 所属(和/英) 株式会社半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称: SEL)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 広樹 / Hiroki Inoue / イノウエ ヒロキ
第4著者 所属(和/英) 株式会社半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称: SEL)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 石津 貴彦 / Takahiko Ishizu / イシヅ タカヒロ
第5著者 所属(和/英) 株式会社半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称: SEL)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 家田 義紀 / Yoshinori Ieda / イエダ ヨシノリ
第6著者 所属(和/英) 株式会社半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称: SEL)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂倉 真之 / Masayuki Sakakura / サカクラ マサユキ
第7著者 所属(和/英) 株式会社半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称: SEL)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 熱海 知昭 / Tomoaki Atsumi / アツミ トモアキ
第8著者 所属(和/英) 株式会社半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称: SEL)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 塩野入 豊 / Yutaka Shionoiri / シオノイリ ユタカ
第9著者 所属(和/英) 株式会社半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称: SEL)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 清 / Kiyoshi Kato / カトウ キヨシ
第10著者 所属(和/英) 株式会社半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称: SEL)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥田 高 / Takashi Okuda / オクダ タカシ
第11著者 所属(和/英) 株式会社半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称: SEL)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 山元 良高 / Yoshitaka Yamamoto / ヤマモト ヨシタカ
第12著者 所属(和/英) 株式会社半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称: SEL)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤田 昌宏 / Masahiro Fujita / フジタ マサヒロ
第13著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: The Univ. of Tokyo)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 小山 潤 / Jun Koyama / コヤマ ジュン
第14著者 所属(和/英) 株式会社半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称: SEL)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 山崎 舜平 / Shunpei Yamazaki / ヤマザキ シュンペイ
第15著者 所属(和/英) 株式会社半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称: SEL)
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講演者
発表日時 2015-04-17 10:50:00 
発表時間 50 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2015-9 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.6 
ページ範囲 pp.39-44 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ICD-2015-04-09 


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