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講演抄録/キーワード
講演名 2015-04-16 16:05
[依頼講演]A Low-Power 64Gb MLC NAND-Flash Memory in 15nm CMOS Technology
Mario SakoTakao NakajimaJunpei SatoKazuyoshi MuraokaMasaki FujiuFumihiro KonoMichio NakagawaMasami MasudaKoji KatoYuri TeradaYuki ShimizuMitsuaki HonmaYoshinao SuzukiYoshihisa WatanabeToshiba)・Ryuji YamashitaSanDiskエレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2015-6
抄録 (和) A 75mm2 low power 64Gb MLC NAND flash memory capable of 30MB/s program throughput and 533MB/s data transfer rate at 1.8V supply voltage is developed in 15nm CMOS technology. 36% power reduction from 3.3V design is achieved by a new pumping scheme. New low current peak features reduce a multi-die concurrent programming peak by 65% for 4-die case, and an erase verifying peak by 40%, respectively. Nano-scale transistors reducing bitline discharge time by 70% is introduced to improve performance. 
(英) A 75mm2 low power 64Gb MLC NAND flash memory capable of 30MB/s program throughput and 533MB/s data transfer rate at 1.8V supply voltage is developed in 15nm CMOS technology. 36% power reduction from 3.3V design is achieved by a new pumping scheme. New low current peak features reduce a multi-die concurrent programming peak by 65% for 4-die case, and an erase verifying peak by 40%, respectively. Nano-scale transistors reducing bitline discharge time by 70% is introduced to improve performance.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) NAND / Flash / memory / MLC / Low power / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 6, ICD2015-6, pp. 27-30, 2015年4月.
資料番号 ICD2015-6 
発行日 2015-04-09 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2015-04-16 - 2015-04-17 
開催地(和) 信州大学 
開催地(英)  
テーマ(和) メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2015-04-ICD 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Low-Power 64Gb MLC NAND-Flash Memory in 15nm CMOS Technology 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) / NAND  
キーワード(2)(和/英) / Flash  
キーワード(3)(和/英) / memory  
キーワード(4)(和/英) / MLC  
キーワード(5)(和/英) / Low power  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 酒向 万里生 / Mario Sako / サコウ マリオ
第1著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中陦 孝雄 / Takao Nakajima / ナカジマ タカオ
第2著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 順平 / Junpei Sato / サトウ ジユンペイ
第3著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 村岡 一芳 / Kazuyoshi Muraoka / ムラオカ カズヨシ
第4著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤生 政樹 / Masaki Fujiu / フジウ マサキ
第5著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 河野 良洋 / Fumihiro Kono / コウノ フミヒロ
第6著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 中川 道雄 / Michio Nakagawa / ナカガワ ミチオ
第7著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 増田 正美 / Masami Masuda / マスダ マサミ
第8著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 光司 / Koji Kato / カトウ コウジ
第9著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺田 有里 / Yuri Terada / テラダ ユリ
第10著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 清水 佑樹 / Yuki Shimizu / シミズ ユウキ
第11著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 本間 充祥 / Mitsuaki Honma / ホンマ ミツアキ
第12著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 良尚 / Yoshinao Suzuki / スズキ ヨシナオ
第13著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 慶久 / Yoshihisa Watanabe / ワタナベ ヨシヒサ
第14著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 山下 竜二 / Ryuji Yamashita / ヤマシタ リュウジ
第15著者 所属(和/英) サンディスク (略称: サンディスク)
SanDisk (略称: SanDisk)
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
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講演者
発表日時 2015-04-16 16:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2015-6 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.6 
ページ範囲 pp.27-30 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ICD-2015-04-09 


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