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講演抄録/キーワード
講演名 2015-04-16 14:25
[招待講演]車載用途200MHz高速読出し動作および書込みスループット2.0MB/sを達成した28nm混載SG-MONOSフラッシュマクロの開発発
棟安 誠帯刀恭彦中野全也伊藤 孝河野隆司野口健二日高秀人山内忠昭ルネサス エレクトロニクスエレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2015-4
抄録 (和) 車載用途のフラッシュメモリを混載したマイコン向けに、28nmプロセスのSG-MONOS構造を採用した混載用フラッシュマクロを開発し、リード時のワード線昇圧や書込み時の負バイアス印加によりTj=170℃で200MHzランダムアクセス及び2MB/sの書込みスループットを達成した。高パフォーマンスだけでなく、読み出し電圧・消去電圧を温度によって調整する技術や、書き換え用の高電圧発生用のチャージポンプに供給するクロック生成に周波数拡散と位相シフトを適用することにより信頼性及び低ノイズも併せて実現した。 
(英) First-ever 28nm embedded SG-MONOS flash macros are presented to realize aggressive device scaling with improved reliability and performance as demanded strongly in automotive uses. A temperature-adjusted word-line overdrive, an adaptive step pulse erase control, a negative back-bias cell array for programming, and a spread spectrum clock generator achieve the world’s best performance of 200MHz random read and 2MB/s write throughput at Tj=170°C with sufficient TDDB lifetime and less RF noise.
キーワード (和) 車載用途 / 混載用フラッシュメモリ / 200MHzランダムアクセス / SG-MONOS / / / /  
(英) for Automotive / embedded Flash memory / 200MHz Random Access / SG-MONOS / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 6, ICD2015-4, pp. 15-19, 2015年4月.
資料番号 ICD2015-4 
発行日 2015-04-09 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2015-04-16 - 2015-04-17 
開催地(和) 信州大学 
開催地(英)  
テーマ(和) メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2015-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 車載用途200MHz高速読出し動作および書込みスループット2.0MB/sを達成した28nm混載SG-MONOSフラッシュマクロの開発発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 28nm Embedded SG-MONOS Flash Macro for Automotive Achieving 200MHz Read Operation and 2.0MB/s Write Throughput at Tj of 170℃ 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 車載用途 / for Automotive  
キーワード(2)(和/英) 混載用フラッシュメモリ / embedded Flash memory  
キーワード(3)(和/英) 200MHzランダムアクセス / 200MHz Random Access  
キーワード(4)(和/英) SG-MONOS / SG-MONOS  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 棟安 誠 / Makoto Muneyasu / ムネヤス マコト
第1著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 帯刀 恭彦 / Yasuhiko Taito / タイトウ ヤスヒコ
第2著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 中野 全也 / Masaya Nakano / ナカノ マサヤ
第3著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 孝 / Takashi Ito / イトウ タカシ
第4著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 河野 隆司 / Takashi Kono / コウノ タカシ
第5著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 野口 健二 / Kenji Noguchi / ノグチ ケンジ
第6著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 日高 秀人 / Hideto Hidaka / ヒダカ ヒデト
第7著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 山内 忠昭 / Tadaaki Yamauchi / ヤマウチ タダアキ
第8著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
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講演者
発表日時 2015-04-16 14:25:00 
発表時間 50 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2015-4 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.6 
ページ範囲 pp.15-19 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ICD-2015-04-09 


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