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| 講演名 | 2015-04-16 13:50 ［依頼講演］車載MCUにおける-40～170℃動作可能なWrite Disturb問題スクリーニング回路を有する40 nm Dual-port、Two-port SRAM ○横山佳巧・石井雄一郎・福田達哉・辻橋良樹・宮西篤史（ルネサス エレクトロニクス）・朝山 忍・前川径一・柴 和利（ルネサス セミコンダクタ マニュファクチュアリング）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）  ICD2015-3 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2015-3 |
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| 抄録 | （和） | 40nm Flash混載CMOSプロセスを使用して、自動車アプリケーションMCU用に-40～170℃で動作するDual-port SRAM（2-read/write)と2-port SRAM(1-read/1-write)を開発した。 125℃以上でのリーク電流を削減、また動作マージンを確保するためにプロセスとトランジスタ寸法を最適化した新しい8T SRAMセルを提案する。 Dual-port/2-port SRAMの”ディスターブ問題”をスクリーニングするための回路を提案する。 製造したテストチップを測定した結果、VDD-minimumの分布は良好であり0.7V以下を達成している。 提案のテスト回路が効果的にディスターブ不良をスクリーニングしている結果が得られた。 |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | SRAM / 40nm / MCU / 170°C / Two-port / Disutrb / Dual-port / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 6, ICD2015-3, pp. 9-14, 2015年4月. | |
| 資料番号 | ICD2015-3 | |
| 発行日 | 2015-04-09 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2015-3 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2015-3 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2015-04-16 - 2015-04-17 |
| 開催地（和） | 信州大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2015-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 車載MCUにおける-40～170℃動作可能なWrite Disturb問題スクリーニング回路を有する40 nm Dual-port、Two-port SRAM |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 40 nm Dual-port and Two-port SRAMs for Automotive MCU Applications under the Wide Temperature Range of -40 to 170℃ with Test Screening Against Write Disturb Issues |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SRAM / |
| キーワード(2)（和/英） | 40nm / |
| キーワード(3)（和/英） | MCU / |
| キーワード(4)（和/英） | 170°C / |
| キーワード(5)（和/英） | Two-port / |
| キーワード(6)（和/英） | Disutrb / |
| キーワード(7)（和/英） | Dual-port / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 横山 佳巧 / Yoshisato Yokoyama / ヨコヤマ ヨシサト |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石井 雄一郎 / Yuichiro Ishii / イシイ ユウイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 達哉 / Tatsuya Fukuda / フクダ タツヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 辻橋 良樹 / Yoshiki Tsujihashi / ツジハシ ヨシキ |
| 第4著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮西 篤史 / Atsushi Miyanishi / ミヤニシ アツシ |
| 第5著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 朝山 忍 / Shinobu Asayama / アサヤマ シノブ |
| 第6著者 所属（和/英） | ルネサス セミコンダクタ マニュファクチュアリング株式会社 (略称： ルネサス セミコンダクタ マニュファクチュアリング) Renesas Semiconductor Manufacturing Corporation (略称： Renesas Semiconductor Manufacturing Corporation) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前川 径一 / Keiichi Maekawa / マエカワ ケイイチ |
| 第7著者 所属（和/英） | ルネサス セミコンダクタ マニュファクチュアリング株式会社 (略称： ルネサス セミコンダクタ マニュファクチュアリング) Renesas Semiconductor Manufacturing Corporation (略称： Renesas Semiconductor Manufacturing Corporation) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柴 和利 / Kazutoshi Shiba / シバ カズトシ |
| 第8著者 所属（和/英） | ルネサス セミコンダクタ マニュファクチュアリング株式会社 (略称： ルネサス セミコンダクタ マニュファクチュアリング) Renesas Semiconductor Manufacturing Corporation (略称： Renesas Semiconductor Manufacturing Corporation) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新居 浩二 / Koji Nii / ニイ コウジ |
| 第9著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-04-16 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2015-3 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.6 |
| ページ範囲 | pp.9-14 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-04-09 (ICD) |
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