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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-04-16 13:55 F4-TCNQを用いたP3HTパターン薄膜を電極に用いた全有機型トランジスタの作製 ○但木大介・馬 騰（東北大）・木村康男（東京工科大）・庭野道夫（東北大）  ED2015-2 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2015-2 |
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| 抄録 | （和） | 近年、溶液プロセスによって簡便に作製が可能であり、低コストで薄型・軽量かつ大面積なフレキシブル有機デバイスに関する研究が広く行われている。この有機デバイスを駆動させるための素子として、アクティブ層に有機半導体材料を用いたトランジスタである有機トランジスタが注目されており、その特性向上を目指した研究がこれまで成されてきた。有機トランジスタは、Auなどの金属を真空蒸着することによって電極層を形成させる方法が一般的であるために、高い材料コストや長い作製時間を要し、また有機材料が高温となるなどの課題がいくつか存在する。そこで我々は、同一の有機材料をベースとして、局所的に分子ドーピングを施した膜を電極に用いることによって、いわゆるp-i-p型の全有機型トランジスタを作製した。はじめに、多重内部反射型赤外吸収分光法 (MIR-IRAS) および四探針法による測定によって、ドーピングによって有機半導体材料とドーパント材料との間で電荷移動が起こり、電流の起源となるキャリア (ホール) が生成されて、それが導電性の向上に寄与していることが分かった。この結果をもとに実際にトランジスタの作製を行った。具体的には、フォトリソグラフィ技術によるパターニングによって、所望のp層のパターンを予め形成させ、チャネルとなる部分の溝を掘り、そこにドーピングしていない溶液を滴下することによって微小なチャネル長を有する構造のp-i-p型トランジスタを再現よく作製させることに成功した。 |
| （英） | Flexible organic devices have been widely studied recently because they have features such as low-cost, thin, light-weight and large-area, and they can be briefly fabricated by a solution process. Organic transistors in which organic materials are used as active layers have also been studied to be applied to organic devices. Since electrode layers of organic transistors are generally formed by a vacuum evaporation of metal such as gold (Au), there are some problems of taking a high fabrication cost, requiring a long-time process, and concerning about high temperatures of substrates by an evaporation. Therefore, we tried to fabricate a so-called p-i-p type of all-organic transistor in which a same material is used and some parts are molecularly doped to be electrode layers. At first, it was found that carriers (holes) were generated by a charge-transfer process, and they contributed to increase the conductivities of doped layers, using infrared absorption spectroscopy of the multiple internal reflection geometry (MIR-IRAS) and four probe method measurements. Based on this result, we actually fabricated the p-i-p type of transistor. Specifically, after the p layer was patterned by a photolithography process, the transistor was fabricated by drop-casting a non-doped solution to a groove which was made by digging a part of the patterned p+ layer. Accordingly, we succeeded in a reproducible fabrication of the transistor which has a short channel. | |
| キーワード | （和） | 有機トランジスタ / 分子ドーピング / 多重内部反射型赤外吸収分光法 (MIR-IRAS) / / / / / |
| （英） | organic transistor / molecular doping / infrared absorption spectroscopy of the multiple internal reflection geometry (MIR-IRAS) / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 5, ED2015-2, pp. 7-10, 2015年4月. | |
| 資料番号 | ED2015-2 | |
| 発行日 | 2015-04-09 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-2 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2015-2 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2015-04-16 - 2015-04-17 |
| 開催地（和） | 東北大通研ナノスピン実験施設 |
| 開催地（英） | Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics |
| テーマ（和） | 有機デバイス・酸化物デバイス・一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2015-04-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | F4-TCNQを用いたP3HTパターン薄膜を電極に用いた全有機型トランジスタの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of all-organic transistors with patterned P3HT thin films doped with F4-TCNQ |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機トランジスタ / organic transistor |
| キーワード(2)（和/英） | 分子ドーピング / molecular doping |
| キーワード(3)（和/英） | 多重内部反射型赤外吸収分光法 (MIR-IRAS) / infrared absorption spectroscopy of the multiple internal reflection geometry (MIR-IRAS) |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 但木 大介 / Daisuke Tadaki / タダキ ダイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 馬 騰 / Teng Ma / マ タン |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 康男 / Yasuo Kimura / キムラ ヤスオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工科大学 (略称： 東京工科大) Tokyo University of Technology (略称： Tokyo Univ. of Technology) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 庭野 道夫 / Michio Niwano / ニワノ ミチオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-04-16 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2015-2 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.5 |
| ページ範囲 | pp.7-10 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-04-09 (ED) |
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