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講演抄録/キーワード
講演名 2015-03-05 10:00
高利得かつ広帯域なCMOS多段低雑音増幅器の設計
前田健吉水草真一高野恭弥片山光亮天川修平吉田 毅・○藤島 実広島大エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2014-203 ICD2014-116
抄録 (和) ミリ波帯の低雑音増幅器には、高利得、広帯域、低雑音であることが求められる。ミリ波帯ではMOSFETの利得が小さいため、高利得、広帯域化を実現するためには増幅器を多段構成にする必要がある.本研究では.整合回路を設計するために数値探索を用いて設計し,その際にMAGを評価関数に用いて入出力の整合回路と中間段の整合回路を分けて設計することで高利得・広帯域・低反射化を実現した.また,高利得化により低雑音化も両立できることを示した.提案手法を用いて設計例として四段の増幅回路を設計し,中心周波数135GHzで利得が20dBで帯域30GHz,雑音指数8.2dBの特性を得た 
(英) It is highly required to realize high gain with wide bandwidth and low noise on amplifiers. In millimeter wave, gain on MOSFET is small so that multi stage is required to obtain sufficient gain. The proposed design method with numerical search using MAG as evaluation function enables to realize both high gain and wide bandwidth. In order to consider reflection on the input/output matching network, they are designed in a different way from the middle. Consequently this method realized high gain, wide bandwidth and low input/output reflection, therefore low noise due to high gain. Four stage amplifiers are designed at the center frequency of 135GHz with Gain of 20dB, bandwidth of 30GHz and noise figure of 8.2dB.
キーワード (和) CMOS / 集積回路 / 低雑音増幅器 / ミリ波 / / / /  
(英) CMOS / integrated circuit, noise / microwave amplifier / millimeter wave / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 498, MW2014-203, pp. 7-11, 2015年3月.
資料番号 MW2014-203 
発行日 2015-02-26 (MW, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 MW ICD  
開催期間 2015-03-05 - 2015-03-06 
開催地(和) 福井大学 
開催地(英) University of Fukui 
テーマ(和) マイクロ波集積回路/一般 
テーマ(英) Microwave Integrated Circuit / Microwave Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2015-03-MW-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高利得かつ広帯域なCMOS多段低雑音増幅器の設計 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Design of CMOS Multi-Stage Low-Noise Amplifier with Wide Bandwidth and High Gain 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) CMOS / CMOS  
キーワード(2)(和/英) 集積回路 / integrated circuit, noise  
キーワード(3)(和/英) 低雑音増幅器 / microwave amplifier  
キーワード(4)(和/英) ミリ波 / millimeter wave  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 前田 健吉 / Kenkichi Maeda / マエダ ケンキチ
第1著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 水草 真一 / Shinichi Mizukusa / ミズクサ シンイチ
第2著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 高野 恭弥 / Kyoya Takano / タカノ キョウヤ
第3著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 片山 光亮 / Kosuke Katayama / カタヤマ ミツヨシ
第4著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 天川 修平 / Shuhei Amakawa / アマカワ シュウヘイ
第5著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田 毅 / Takeshi Yoshida / ヨシダ ツヨシ
第6著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤島 実 / Minoru Fujishima / フジシマ ミノル
第7著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ)
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講演者
発表日時 2015-03-05 10:00:00 
発表時間 30 
申込先研究会 MW 
資料番号 IEICE-MW2014-203,IEICE-ICD2014-116 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.498(MW), no.499(ICD) 
ページ範囲 pp.7-11 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-MW-2015-02-26,IEICE-ICD-2015-02-26 


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