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| 講演名 | 2015-03-05 10:45 ［招待講演］高調波処理を施したS帯高効率GaN電力増幅器 ○中谷圭吾・石崎俊雄（龍谷大）  MW2014-204 ICD2014-117 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2014-204 ICD2014-117 |
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| 抄録 | （和） | 本報告ではAsia-Pacific Microwave Conference(APMC2014)で開催されたAPMC Student Design Competition向けに開発した高効率増幅器について述べる．本コンテストでは指定された10W級GaN-HEMTを用いて高効率電力増幅器を設計・試作する．著者が設計・試作した増幅器は，動作周波数が2.45GHzであり2倍波及び3倍波を処理する高調波処理負荷回路を備えた増幅器である．また，出力整合回路では広帯域かつ低損失となるようにλ/4長線路を用いてインピーダンス変換を行った．試作した増幅器は2.43GHzで出力電力41.0dBm，付随利得16.8dB，ドレイン効率68.6%，電力付加効率67.2%という高出力高効率特性を示した． |
| （英） | In this report, a 2.45GHz high efficiency power amplifier, fabricated for the Student Design Competition in Asia-Pacific Microwave Conference (APMC2014), is described. The authors designed and fabricated an amplifier with a load circuit for processing second and third harmonics. In the output matching circuit, impedance conversion is achieved by using quarter-wavelength transmission lines in order to obtain a broadband and low loss performance. Based on this design policy, a power amplifier was fabricated. Output power of 41.0dBm, associated gain of 16.8dB, drain efficiency of 68.6% and power added efficiency of 67.2% were successfully obtained at 2.43GHz. | |
| キーワード | （和） | GaN-HEMT / 高効率電力増幅器 / 高調波処理 / F級 / 逆F級 / S帯 / / |
| （英） | GaN-HEMT / High efficiency power amplifier / Harmonic processing / Class-F / Inverse Class-F / S-Bnad / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 498, MW2014-204, pp. 13-17, 2015年3月. | |
| 資料番号 | MW2014-204 | |
| 発行日 | 2015-02-26 (MW, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2014-204 ICD2014-117 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2014-204 ICD2014-117 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ICD |
| 開催期間 | 2015-03-05 - 2015-03-06 |
| 開催地（和） | 福井大学 |
| 開催地（英） | University of Fukui |
| テーマ（和） | マイクロ波集積回路／一般 |
| テーマ（英） | Microwave Integrated Circuit / Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2015-03-MW-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高調波処理を施したS帯高効率GaN電力増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An S-Band GaN High Efficiency Power Amplifier with Harmonic Processing |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN-HEMT / GaN-HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 高効率電力増幅器 / High efficiency power amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | 高調波処理 / Harmonic processing |
| キーワード(4)（和/英） | F級 / Class-F |
| キーワード(5)（和/英） | 逆F級 / Inverse Class-F |
| キーワード(6)（和/英） | S帯 / S-Bnad |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中谷 圭吾 / Keigo Nakatani / ナカタニ ケイゴ |
| 第1著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石崎 俊雄 / Toshio Ishizaki / イシザキ トシオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-03-05 10:45:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2014-204, ICD2014-117 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.498(MW), no.499(ICD) |
| ページ範囲 | pp.13-17 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-02-26 (MW, ICD) |
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