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講演抄録/キーワード
講演名 2015-03-05 09:30
MOSFETにおける非線形容量のミリ波帯モデリング
奈原 諒片山光亮高野恭弥天川修平・○吉田 毅藤島 実広島大エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2014-202 ICD2014-115
抄録 (和) 消費電力や回路特性を推定するために回路シミュレーションに用いられるMOSFETモデルでは,DC,小信号,大信号それぞれの特性で実測結果と乖離がないことが求められる.しかし,これまで小信号特性の測定結果から求められたMOSFETのモデルでは,大信号特性のシミュレーションが実測結果と乖離していた.正確なモデルを実現するためには、小信号の測定結果から非線形モデルを確立する必要がある。Sパラメータから小信号モデルは簡単に確立することができるが、非線形モデルとして物理的に矛盾があることがある。そこで本稿では、Sパラメータ測定の結果から非線形モデルを作成するために、MOSFETを65 nm CMOSプロセスで試作し、110 GHzまでの測定結果を用いて非線形容量のモデル化を試みた。 
(英) For precise estimation of power consumption and circuit characteristics, MOSFET models used in circuit simulation should have predictive power for measured results of DC, small-signal and large-signal characteristics. By using the MOSFET model constructed only from small-signal characteristics, however, measured and simulated results of large-signal characteristics often show considerable discrepancy. To realize an accurate model, it is necessary to establish a physically-consistent nonlinear model from the result of the small signal measurements. Although a small-signal model from the S-parameters can be easily established, it may become physically inconsistent as a nonlinear model. In this paper, a nonlinear MOSFET model, is obtained from bias-dependent scattering parameters. MOSFET is fabricated with 65nm CMOS process and it is modeled using voltage-dependent small-signal characteristics from DC to 110 GHz.
キーワード (和) MOSFET / モデリング / 非線形容量 / ミリ波 / / / /  
(英) MOSFET / modeling / nonlinear capacitance / millimeter wave / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 498, MW2014-202, pp. 1-5, 2015年3月.
資料番号 MW2014-202 
発行日 2015-02-26 (MW, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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研究会情報
研究会 MW ICD  
開催期間 2015-03-05 - 2015-03-06 
開催地(和) 福井大学 
開催地(英) University of Fukui 
テーマ(和) マイクロ波集積回路/一般 
テーマ(英) Microwave Integrated Circuit / Microwave Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2015-03-MW-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) MOSFETにおける非線形容量のミリ波帯モデリング 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Modeling of Nonlinear Capacitance on MOSFET at Millimeter-Wave Frequencies 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) MOSFET / MOSFET  
キーワード(2)(和/英) モデリング / modeling  
キーワード(3)(和/英) 非線形容量 / nonlinear capacitance  
キーワード(4)(和/英) ミリ波 / millimeter wave  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 奈原 諒 / Ryo Nahara / ナハラ リョウ
第1著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 片山 光亮 / Kosuke Katayama / カタヤマ コウスケ
第2著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 高野 恭弥 / Kyoya Takano / タカノ キョウヤ
第3著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 天川 修平 / Shuhei Amakawa / アマカワ シュウヘイ
第4著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田 毅 / Takeshi Yoshida / ヨシダ タケシ
第5著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤島 実 / Minoru Fujishima / フジシマ ミノル
第6著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
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講演者
発表日時 2015-03-05 09:30:00 
発表時間 30 
申込先研究会 MW 
資料番号 IEICE-MW2014-202,IEICE-ICD2014-115 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.498(MW), no.499(ICD) 
ページ範囲 pp.1-5 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-MW-2015-02-26,IEICE-ICD-2015-02-26 


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